ild205t/ 206t/ 207t/211t/ 213t/ 217t
文档 号码 83647
rev. 1.4, 26-oct-04
vishay 半导体
www.vishay.com
1
i179018
A1
C2
A3
C4
8C
7E
6C
5E
铅
P
b
-自由
e3
optocoupler, phototransistor输出, 双 频道, soic-8
包装
特性
• 二 频道 coupler
• soic-8a 表面 mountable 包装
• 标准 含铅的 间隔 的 .05 "
• 有 仅有的 在 录音带 和 卷轴 选项 (con-
形式 至 eia 标准 481-2)
• 分开 测试 电压, 3000 v
RMS
• 兼容 和 双 波, vapor 阶段 和 ir
软熔焊接 焊接
• 含铅的-自由 组件
• 组件 在 一致 至 rohs 2002/95/ec
和 weee 2002/96/ec
agency approvals
• ul1577, 文件 非. e52744 系统 代号 y
描述
这 ild205t/ 206t/ 207t/ 211t/ 213t/ 217t 是
optically 结合 pairs 和 一个 镓 砷化物 infra-
red led 和 一个 硅 npnphototransistor. 信号
信息, 包含 一个 直流 level, 能 是 transmitted
用 这 设备 当 维持 一个 高 程度 的 elec-
trical 分开 在 输入 和 输出. 这
ild205t/ 206t/ 207t/ 211t/ 213t/ 217t 来到 在 一个
标准 soic-8a 小 外形 包装 为 表面
挂载 这个 制造 它 ideally suited 为 高 den-
sity 产品 和 限制空间. 在 增加 至 elim-
inating 通过-孔 (所需的)东西, 这个 包装
遵从 至 standards 为 表面 挂载 设备.
一个 指定 最小 和最大 ctr 准许 一个
narrow 容忍 在 这 电的 设计 的 这 adja-
cent 电路. 这 高 bv
CEO
的 70 v 给 一个 高等级的
安全 余裕 对照的 至 这 工业 标准 的
30 v.
顺序 信息
为 额外的 信息 在 the 有 选项 谈及 至
选项 信息.
Part Remarks
ILD205T ctr 40 - 80 %, soic-8
ILD206T ctr 63 - 125 %, soic-8
ILD207T ctr 100 - 200 %, soic-8
ILD211T ctr > 20 %, soic-8
ILD213T ctr > 100 %, soic-8
ILD217T ctr > 100 %, soic-8
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