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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
PNP 硅 一般 目的
放大器 晶体管
这个 pnp 晶体管 是 设计 为 一般 目的 放大器 产品. 这个
设备 是 housed 在 这 sot–416/sc–90 包装 这个 是 设计 为 低 电源
表面 挂载 产品, 在哪里 板 空间 是 在 一个 premium.
•
减少 板 空间
•
高 h
FE
, 210–460 (典型)
•
低 v
ce(sat)
, < 0.5 v
•
有 在 8 mm, 7–inch/3000 单位 录音带 和 卷轴
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c)
比率 标识 值 单位
collector–base 电压 V
(br)cbo
–60 Vdc
collector–emitter 电压 V
(br)ceo
–50 Vdc
emitter–base 电压 V
(br)ebo
–6.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
–100 mAdc
设备 标记
2sa1774 = f9
热的 特性
比率 标识 最大值 单位
电源 消耗
(1)
P
D
150 mW
接合面 温度 T
J
150
°
C
存储 温度 范围 T
stg
– 55 ~ + 150
°
C
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
collector–base 损坏 电压 (i
C
= –50
µ
模数转换器, i
E
= 0) V
(br)cbo
–60 — — Vdc
collector–emitter 损坏 电压 (i
C
= –1.0 madc, i
B
= 0) V
(br)ceo
–50 — — Vdc
emitter–base 损坏 电压 (i
E
= –50
µ
模数转换器, i
E
= 0) V
(br)ebo
–6.0 — — Vdc
collector–base 截止 电流 (v
CB
= –30 vdc, i
E
= 0) I
CBO
— — –0.5 nA
emitter–base 截止 电流 (v
EB
= –5.0 vdc, i
B
= 0) I
EBO
— — –0.5
µ
一个
collector–emitter 饱和 电压
(2)
(i
C
= –50 madc, i
B
= –5.0 madc)
V
ce(sat)
— — –0.5
Vdc
直流 电流 增益
(2)
(v
CE
= –6.0 vdc, i
C
= –1.0 madc)
h
FE
120 — 560
—
转变 频率
(v
CE
= –12 vdc, i
C
= –2.0 madc, f = 30 mhz)
f
T
— 140 —
MHz
输出 电容 (v
CB
= –12 vdc, i
E
= 0 模数转换器, f = 1 mhz) C
OB
— 3.5 — pF
1. 设备 挂载 在 一个 fr–4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 这 最小 推荐 footprint.
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, d.c.
≤
2%.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
顺序 这个 文档
用 2sa1774/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
2SA1774
pnp 一般
目的 放大器
晶体管
表面 挂载
情况 463–01, 样式 1
sot–416/sc–90
1
2
3
集电级
3
1
根基
2
发射级
motorola, 公司 1996
rev 1
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