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资料编号:137091
 
资料名称:AOD442
 
文件大小: 338.63K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
参数
标识
最大 单位
流-源 电压
V
DS
60
V
门-源 电压
V
GS
±20
V
持续的 流
电流
b,g
T
C
=25°C
G
I
D
38
一个
T
C
=100°C
B
27
搏动 流 电流
I
DM
60
avalanche 电流
C
I
AR
30
一个
repetitive avalanche 活力 l=0.1mh
C
E
AR
140
mJ
电源 消耗
B
T
C
=25°C
P
D
60
W
T
C
=100°C 30
接合面 和 存储 温度 范围
T
J
, t
STG
-55 至 175 °C
热的 特性
参数
标识 典型值 最大值
单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
10s
R
θ
JA
17.4 25
°c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
51 60
°c/w
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
R
θ
JL
1.8 2.5
°c/w
aod442, aod442l ( 绿色 产品 )
n-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
rev 2: dec 2004
特性
V
DS
(v) = 60v
I
D
= 38a
R
ds(在)
< 20m
(v
GS
= 10v)
R
ds(在)
< 25m
(v
GS
= 4.5v)
一般 描述
这 aod442 使用 先进的 trench 技术 至
提供 极好的 r
ds(在)
和 低 门 承担. 这个
设备 是 合适的 为 使用 作 一个 加载 转变 或者 在 pwm
产品. aod442l ( 绿色 产品 ) 是 offered 在
一个 含铅的-自由 包装.
G
D
S
g d s
至-252
d-pak
顶 视图
流 连接 至
Tab
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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