IS62WV12816ALL
IS62WV12816BLL
ISSI
®
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
1-800-379-4774
1
rev. E
06/08/05
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128k x 16 低 电压,
过激 低 电源 cmos 静态的 内存
特性
• 高-速 进入 时间: 45ns, 55ns, 70ns
• cmos 低 电源 运作
– 36 mw (典型) 运行
– 9 µw (典型) cmos 备用物品
• ttl 兼容 接口 水平
• 单独的 电源 供应
– 1.65v--2.2v v
DD
(62wv12816all)
– 2.5v--3.6v v
DD
(62wv12816bll)
• 全部地 静态的 运作: 非 时钟 或者 refresh
必需的
• 三 状态 输出
• 数据 控制 为 upper 和 更小的 字节
• 工业的 温度 有
• 2cs 选项 有
• 含铅的-自由 有
描述
这
ISSI
is62wv12816all/ is62wv12816bll 是 高-
速, 2m 位 静态的 rams 有组织的 作 128k words 用 16
位. 它 是 fabricated 使用
ISSI
's 高-效能 cmos
技术. 这个 高级地 可依靠的 处理 结合 和
革新的 电路 设计 技巧, 产量 高-
效能 和 低 电源 消耗量 设备.
当
CS1
是 高 (deselected) 或者 当 cs2 是 低
(deselected) 或者 当
CS1
是 低, cs2 是 高 和 两个都
LB
和
UB
是 高, 这 设备 假设 一个 备用物品 模式
在 这个 这 电源 消耗 能 是 减少 向下 和
cmos 输入 水平.
容易 记忆 expansion 是 提供 用 使用 碎片 使能
和 输出 使能 输入. 这 起作用的 低 写 使能
(我们)
控制 两个都 writing 和 读 的 这 记忆. 一个
数据 字节 准许 upper 字节
(ub)
和 更小的 字节 (
lb)
进入.
这 is62wv12816all 和 is62wv12816bll 是 packaged
在 这 电子元件工业联合会 标准 48-管脚 迷你 bga (6mm x 8mm) 和
44-管脚 tsop (类型 ii).
函数的 块 图解
六月 2005
a0-a16
CS1
OE
我们
128k x 16
记忆 排列
解码器
column i/o
控制
电路
地
VDD
i/o
数据
电路
i/o0-i/o7
更小的 字节
i/o8-i/o15
upper 字节
UB
LB
CS2
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