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LTC1266
LTC1266 -3.3/LTC1266 - 5
同步的 调整器
控制 为
n- 或者 p-频道 mosfets
S
F
EA
T
U
RE
D
U
ESCRIPTIO
■
过激-高 效率: 在 95% 可能
■
驱动 n-频道 场效应晶体管 为 高 电流 或者
p-频道 场效应晶体管 为 低 落后
■
管脚 可选择的 burst 模式 运作
■
1% 输出 精度 (ltc1266a)
■
管脚 可选择的 阶段 的 topside 驱动器 为 boost
或者 步伐-向下 运作
■
宽 v
在
范围: 3.5v 至 20v
■
在-碎片 低-电池 探测器
■
高 效率 maintained 在 大 电流 范围
■
低 170
µ
一个 备用物品 电流 在 明亮的 负载
■
电流 模式 运作 为 极好的 线条 和 加载
瞬时 回馈
■
逻辑 控制 微小功率 关闭: i
Q
< 40
µ
一个
■
短的 电路 保护
■
同步的 切换 和 nonoverlaping 门 驱动
■
有 在 16-管脚 narrow 所以 包装
这 ltc
®
1266 序列 是 一个 家族 的 同步的 切换
调整器 控制者 featuring 自动 burst 模式
TM
运作 至 维持 高 efficiencies 在 低 输出
电流. 这些 设备 驱动 外部 电源 mosfets 在
切换 发生率 向上 至 400khz 使用 一个 常量 止-
时间 电流 模式 architecture 供应 常量 波纹
电流 在 这 inductor. 它们 能 驱动 也 一个 n-频道
或者 一个 p-频道 topside 场效应晶体管.
这 运行 电流 水平的 是 用户-可编程序的 通过 一个
外部 电流 sense 电阻. 宽 输入 供应 范围
准许 运作 从 3.5v 至 18v (20v 最大).
常量 止-时间 architecture 提供 低 落后 regu-
lation 限制 仅有的 用 这 r
ds(在)
的 这 topside 场效应晶体管
(当 使用 这 p-频道) 和 这 阻抗 的 这
inductor 和 电流 sense 电阻.
这 ltc1266 序列 结合 同步的 切换 为
最大 效率 在 高 电流 和 一个 自动
低 电流 运行 模式, called burst 模式
运作,
这个 减少 切换 losses. 备用物品 电源 是 re-
duced 至 仅有的 1mw 在 v
在
= 5v (在 i
输出
= 0). 加载 电流
在 burst 模式
运作 是 典型地 0ma 至 500ma.
, ltc 和 lt 是 注册 商标 的 直线的 技术 公司.
burst 模式 是 一个 商标 的 直线的 技术 公司.
图示 1. 高 效率 步伐-向下 转换器
ltc1266-3.3 效率
加载 电流 (一个)
0.01
80
效率 (%)
85
90
95
100
0.1 51
ltc1266 • ta02
V
在
= 5v
0v = normal
>1.5v = 关闭
n-channel
Si9410
+
C
在
100
µ
F
×
2
L*
5
µ
H
D2
MBR0530T1
R
SENSE
0.02
Ω
100k
V
输出
3.3v
5A
低 bat 输出
V
IN
4v 至 9v
I
TH
C
T
SGND
C
T
180pF
C
C
3300pF
R
C
470
Ω
+
C
输出
330
µ
F
×
2
D1
MBRS130LT3
ltc1266 • ta01
BDRIVEBINH
PGND
n-channel
Si9410
V
在
pwr v
在
LB
输出
LB
在
PINV
ltc1266-3.3
SHDN
SENSE
+
TDRIVE
SENSE
–
1000pF
C
B
0.1
µ
F
*coiltronics ctxo212801
低 bat 在
■
notebook 和 palmtop 计算机
■
可携带的 器械
■
cellular telephones
■
直流 电源 分发 系统
■
gps 系统
U
S
一个
O
PP
L
IC
在
I
U
一个
O
PP
L
IC
在
ITY
P
I
CA
L
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