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资料编号:101455
 
资料名称:SI9407AEY
 
文件大小: 56.95K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si9407AEY
vishay siliconix
文档 号码: 70742
s-99445—rev. c, 29-十一月-99
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
p-频道 60-v (d-s), 175
c 场效应晶体管
 
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
–60
0.120 @ v
GS
= –10 v
3.5
–60
0.15 @ v
GS
顶 视图
2
3
4
1
SSS
G
D DD D
p-频道 场效应晶体管
   

   
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
–60
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
3.5
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
3.0
一个
搏动 流 电流 I
DM
30
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
–2.5
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
3.0
wmaximum 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
2.1
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
C
  
参数 标识 限制 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
R
thJA
50
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板, t
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