leshan 无线电 公司, 有限公司.
m5–1/5
1
3
2
一般 目的 晶体管
pnp 硅
最大 比率
比率 标识 BC856 BC857 BC858 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
–65 –45 –30 V
collector–base 电压 V
CBO
–80 –50 –30 V
emitter–base 电压 V
EBO
–5.0 –5.0 –5.0 V
集电级 电流 — 持续的 I
C
–100 –100 –100 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板, (1)
P
D
T
一个
= 25°c 225 mW
减额 在之上 25°c 1.8 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
556 °c/w
总的 设备 消耗 P
D
alumina 基质, (2) t
一个
= 25°c 300 mW
减额 在之上 25°c 2.4 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
417 °c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
bc856alt1 = 3a; bc856blt1 = 3b; bc857alt1 = 3e; bc857blt1 = 3f;
bc858alt1 = 3j; bc858blt1 = 3k; bc858clt1 = 3l
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
bc856 序列 – 65 — —
(i
C
= –10 毫安) bc857 序列 V
(br)ceo
– 45 — — v
bc858 序列 – 30 — —
collector–emitter 损坏 电压
bc856 序列 – 80 — —
(i
C
= –10
µ
一个, v
EB
= 0) bc857 序列 V
(br)ces
– 50 — — v
bc858 序列 – 30 — —
collector–base 损坏 电压 bc856 序列 – 80 — —
(i
C
= – 10
µ
一个) bc857 序列 V
(br)cbo
– 50 — — v
bc858 序列 – 30 — —
emitter–base 损坏 电压 bc856 序列 – 5.0 — —
(i
E
= – 1.0
µ
一个) bc857 序列, V
(br)ebo
– 5.0 — — v
bc858 序列 – 5.0 — —
集电级 截止 电流 (v
CB
= – 30 v)
I
CBO
— — – 15 nA
(v
CB
= – 30 v, t
一个
= 150°c) — — – 4.0
µ
一个
bc856alt1, blt1
bc857alt1, blt1
bc858alt1, blt1
CLT1
2
发射级
3
集电级
1
根基
情况 318–08, 样式 6
sot–23 (to–236ab)
1.fr–5=1.0 x 0.75 x 0.062in
2. alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
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