半导体 组件 industries, llc, 2003
april, 2003 - rev. 2
1
发行 顺序 号码:
mbrs230lt3/d
MBRS230LT3
表面 挂载
肖特基 电源 整流器
smb 电源 表面 挂载 包装
. . . employing 这 肖特基 屏障 principle 在 一个 metal-至-硅
电源 整流器. 特性 外延的 构建 和 oxide passivation
和 metal overlay 联系. ideally suited 为 低 电压, 高
频率 切换 电源 供应; 自由 转动 二极管 和
极性 保护 二极管.
•
紧凑的 包装 和 j-bend leads 完美的 为 automated 处理
•
高级地 稳固的 oxide 钝化的 接合面
•
保护环 为 在-电压 保护
•
低 向前 电压 漏出
机械的 特性:
•
情况: 模塑的 环氧的
•
环氧的 满足 ul94, vo 在 1/8
″
•
重量: 95 mg (大概)
•
完成: 所有 外部 surfaces corrosion resistant 和 终端
leads 是 readily solderable
•
最大 温度 的 260
°
c/10 秒 为 焊接
•
有 在 12 mm 录音带, 2500 单位 每 13
″
卷轴, 增加 “t3” 后缀
至 部分 号码
•
cathode 极性 带宽
•
标记: 2bl3
最大 比率
比率 标识 值 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
30 V
平均 调整的 向前 电流
(在 评估 v
R
, t
C
= 110
°
c)
I
O
2.0 一个
顶峰 repetitive 向前 电流
(在 评估 v
R
, 正方形的 波,
20 khz, t
C
= 105
°
c)
I
FRM
4.0 一个
非-repetitive 顶峰 surge 电流
(surge 应用 在 评估 加载
情况, halfwave, 单独的
阶段, 60 hz)
I
FSM
40 一个
存储/运行 情况
温度
T
stg
, t
C
-55 至 +175
°
C
运行 接合面 温度 T
J
-55 至 +125
°
C
电压 比率 的 改变
(评估 v
R
, t
J
= 25
°
c)
dv/dt 10,000 v/
s
设备 包装 Shipping
订货 信息
SMB
情况 403a
塑料
MBRS230LT3 SMB 2500/录音带 &放大; 卷轴
肖特基 屏障
整流器
2.0 amperes
30 伏特
标记 图解
http://onsemi.com
Y = 年
WW= 工作 week
2bl3 = 明确的 设备 代号
YWW
2BL3
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