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MRF317
motorola rf 设备 数据
这 rf 线条
NPN 硅
RF 电源 晶体管
. . . 设计 primarily 为 wideband large–signal 输出 放大器 stages 在
30–200 mhz 频率 范围.
•
有保证的 效能 在 150 mhz, 28 vdc
输出 电源 = 100 w
最小 增益 = 9.0 db
•
built–in 相一致 网络 为 broadband 运作
•
100% 测试 为 加载 mismatch 在 所有 阶段 angles 和 30:1 vswr
•
金 敷金属 系统 为 高 可靠性
•
高 输出 饱和 电源 — ideally suited 为 30 w 运输车/120 w
顶峰 am 放大器 维护
•
有保证的 效能 在 broadband 测试 fixture
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
35 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
65 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
4.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的
集电级 电流— 顶峰 (10 秒)
I
C
12
18
模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
c (1)
减额 在之上 25
°
C
P
D
270
1.54
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
– 65 至 +150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.65
°
c/w
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 100 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
35 — — Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 100 madc, v
是
= 0)
V
(br)ces
65 — — Vdc
collector–base 损坏 电压
(i
C
= 100 madc, i
E
= 0)
V
(br)cbo
65 — — Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= 10 madc, i
C
= 0)
V
(br)ebo
4.0 — — Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= 30 vdc, i
E
= 0)
I
CBO
— — 5.0 mAdc
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 5.0 模数转换器, v
CE
= 5.0 vdc)
h
FE
10 25 80 —
便条: (持续)
1. 这个 设备 是 设计 为 rf 运作. 这 总的 设备 消耗 比率 应用 仅有的 当 这 设备 是 运作 作 一个 rf 放大器.
顺序 这个 文档
用 mrf317/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF317
100 w, 30 – 200 mhz
控制 q
broadband rf 电源
晶体管
npn 硅
情况 316–01, 样式 1
motorola, 公司 1997
rev 7
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