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MRF141G
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
RF 电源 地方-效应 晶体管
n–channel enhancement–mode 场效应晶体管
设计 为 broadband 商业的 和 军队 产品 在 发生率
至 175 mhz. 这 高 电源, 高 增益 和 broadband 效能 的 这个
设备 制造 可能 固体的 状态 传输者 为 fm broadcast 或者 tv 频道
频率 bands.
•
有保证的 效能 在 175 mhz, 28 v:
输出 电源 — 300 w
增益 — 12 db (14 db 典型值)
效率 — 50%
•
低 热的 阻抗 — 0.35
°
c/w
•
强壮 测试 在 评估 输出 电源
•
渗氮 钝化的 消逝 为 增强 可靠性
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
drain–gate 电压 V
DGO
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
±
40 Vdc
流 电流 — 持续的 I
D
32 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
500
2.85
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
– 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.35
°
c/w
便条 —
提醒
— mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf141g/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF141G
300 w, 28 v, 175 mhz
N–CHANNEL
BROADBAND
rf 电源 场效应晶体管
情况 375–04, 样式 2
motorola, 公司 1997
D
G
S
(flange)
D
G
rev 2
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