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MRF15030
motorola rf 设备 数据
这 rf 线条
NPN 硅
RF 电源 晶体管
设计 为 26 伏特 微波 large–signal, 一般 发射级, 类 一个 和
类 ab 直线的 放大器 产品 在 工业的 和 商业的 fm/am
设备 运行 在 这 范围 1400 –1600 mhz.
•
指定 26 伏特, 1490 mhz, 类 ab 特性:
输出 电源 — 30 watts
增益 — 9 db 最小值 @ 30 watts (pep)
效率 — 30% 最小值 @ 30 watts (pep)
交调 扭曲量 — –30 dbc 最大值 @ 30 watts (pep)
•
第三 顺序 intercept 要点 — 53.5 dbm 典型值 @ 1490 mhz,
V
CE
= 24 vdc, i
C
= 2.5 模数转换器
•
典型 和 序列 相等的 large–signal 参数 从
1400–1600 mhz
•
典型 和 小 信号 s–parameters 从 1000–2000 mhz
•
硅 渗氮 钝化的
•
100% 测试 为 加载 mismatch 压力 在 所有 阶段 angles 和
3:1 加载 vswr @ 28 vdc, 在 评估 输出 电源
•
金 metallized, 发射级 ballasted 为 长 生命 和 阻抗 至 metal
Migration
•
电路 板 photomaster 有 在之上 要求 用 contacting
rf tactical 营销 在 phoenix, az.
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
25 Vdc
collector–emitter 电压 V
CES
60 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
4 Vdc
collector–current — 持续的 I
C
10 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
125
0.71
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
– 65 至 +150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
1.40
°
c/w
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 50 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
25 29 — Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 50 madc, v
是
= 0)
V
(br)ces
60 64 — Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 50 madc, r
是
= 100
Ω
)
V
(br)cer
30 52 — Vdc
(持续)
顺序 这个 文档
用 mrf15030/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF15030
30 w, 1.5 ghz
rf 电源 晶体管
npn 硅
情况 395c–01, 样式 1
motorola, 公司 1994
rev 7
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