AT27C080
1
0360f-b–7/97
8-megabit
(1m x 8)
uv 可擦掉的
cmos 非易失存储器
在27C080
特性
•
快 读 进入 时间 - 90 ns
•
低 电源 cmos 运作
- 100
µ
一个 最大值 备用物品
- 40 毫安 最大值 起作用的 在 5 mhz
•
电子元件工业联合会 标准 包装
- 32 含铅的 plcc
- 32-含铅的 600-mil pdip 和 cerdip
- 32-含铅的 450-mil soic (sop)
- 32-含铅的 tsop
•
5V
±
10% 供应
•
高-可靠性 cmos 技术
- 2,000v 静电释放 保护
- 200 毫安 latchup 免除
•
迅速
™
程序编制 algorithm - 50
µ
s/字节 (典型)
•
cmos 和 ttl 兼容 输入 和 输出
•
整体的 产品 identification 代号
•
工业的 和 商业的 温度 范围
描述
这 at27c080 碎片 是 一个 低-电源, 高-效能 8,388,608-位 ultraviolet eras-
能 可编程序的 读 仅有的 记忆 (非易失存储器) 有组织的 作 1m 用 8 位. 这
at27c080 需要 仅有的 一个 5v 电源 供应 在 正常的 读 模式 运作. 任何
字节 能 是 accessed 在 较少 比 90 ns, eliminating 这 需要 为 速 减少
wait states 在 高-效能 微处理器 系统.
atmel’s scaled cmos 技术 提供 低 起作用的 电源 消耗量 和 快
程序编制. 电源 消耗量 是 典型地 10 毫安 在 起作用的 模式 和 较少 比 10
µ
一个 在 备用物品 模式.
(持续)
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a19 地址
o0 - o7 输出
CE
碎片 使能
OE
输出 使能
plcc 顶 视图
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
A14
A13
A8
A9
A11
oe/vpp
A10
CE
07
4
3
2
1
32
31
30
14
15
16
17
18
19
20
01
02
地
03
04
05
06
A12
A15
A16
A19
VCC
A18
A17
cdip, pdip, soic 顶 视图
1
2
3
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A19
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A1
A0
O0
O1
O2
地
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
oe/vpp
A10
CE
07
06
05
04
03
tsop 顶 视图
Type1
1
2
3
4
5
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20
19
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A11
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A17
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VCC
A19
A16
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A7
A6
A5
oe/vpp
A10
CE
07
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地
02
01
O0
A0
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