半导体 组件 industries, llc, 2003
12月, 2003 − rev. 5
1
发行 顺序 号码:
mun5211dw1t1/d
mun5211dw1t1 序列
preferred 设备
双 偏差 电阻
晶体管
npn 硅 表面 挂载 晶体管
和 大而单一的 偏差 电阻 网络
这 brt (偏差 电阻 晶体管) 包含 一个 单独的 晶体管 和
一个 大而单一的 偏差 网络 consisting 的 二 电阻器; 一个 序列 根基
电阻 和 一个 base−emitter 电阻. 这些 数字的 晶体管 是
设计 至 替代 一个 单独的 设备 和 它的 外部 电阻 偏差
网络. 这 brt 排除 这些 单独的 组件 用
integrating 它们 在 一个 单独的 设备. 在 这 mun5211dw1t1 序列,
二 brt 设备 是 housed 在 这 sot−363 包装 这个 是 完美的
为 低 电源 表面 挂载 产品 在哪里 板 空间 是 在 一个
premium.
•
使简化 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
有 在 8 mm, 7 inch/3000 单位 录音带 和 卷轴
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出, 一般 为 q
1
和 q
2
)
比率
标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 Vdc
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
热的 特性
典型的
(一个 接合面 heated)
标识 最大值 单位
总的 设备 消耗
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
187 (便条 1.)
256 (便条 2.)
1.5 (便条 1.)
2.0 (便条 2.)
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 −
接合面-至-包围的
R
θ
JA
670 (便条 1.)
490 (便条 2.)
°
c/w
典型的
(两个都 汇合处 heated)
标识 最大值 单位
总的 设备 消耗
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
250 (便条 1.)
385 (便条 2.)
2.0 (便条 1.)
3.0 (便条 2.)
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 −
接合面-至-包围的
R
θ
JA
493 (便条 1.)
325 (便条 2.)
°
c/w
热的 阻抗 −
接合面-至-含铅的
R
θ
JL
188 (便条 1.)
208 (便条 2.)
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
−55 至 +150
°
C
1. fr−4 @ 最小 垫子
2. fr−4 @ 1.0 x 1.0 inch 垫子
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
设备 标记 信息
看 明确的 标记 信息 在 这 设备 标记 表格
在 页 2 的 这个 数据 薄板.
Q
1
R
1
R
2
R
2
R
1
Q
2
(1)(2)(3)
(4) (5) (6)
http://onsemi.com
SOT−363
情况 419b
样式 1
标记 图解
1
6
XX
d
XX = 明确的 设备 代号
d
= 日期 代号
=(看 页 2)
1
6
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