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mos 地方 效应 晶体管
µ
PA2450B
n-频道 mos 地方效应 晶体管
为 切换
数据 薄板
文档 非. g16635ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 january 2004 ns cp(k)
打印 在 日本
2004
描述
这
µ
pa2450b 是 一个 切换 设备, 这个 能 是 驱动
直接地 用 一个 2.5 v 电源 源.
这
µ
pa2450b 特性 一个 低 在-状态 阻抗 和
极好的 切换 特性, 和 是 合适的 为
产品 此类 作 电源 switch 的 可携带的 机器 和
所以 在.
特性
•
2.5 v 驱动 有
•
低 在-状态 阻抗
R
ds(在)1
= 17.5 m
Ω
最大值 (v
GS
= 4.5 v, i
D
= 4.0 一个)
R
ds(在)2
= 18.5 m
Ω
最大值 (v
GS
= 4.0 v, i
D
= 4.0 一个)
R
ds(在)3
= 22.0 m
Ω
最大值 (v
GS
= 3.1 v, i
D
= 4.0 一个)
R
ds(在)4
= 27.5 m
Ω
最大值 (v
GS
= 2.5 v, i
D
= 4.0 一个)
•
建造-在 g-s 保护 二极管 相反 静电释放
订货 信息
部分 号码 包装
µ
PA2450BTL
6pin hwson (4521)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c)
流 至 源 电压 (v
GS
= 0 v) V
DSS
20.0 v
门 至 源 电压 (v
DS
= 0 v) V
GSS
±
12.0 v
流 电流 (直流)
Note1
I
d(直流)
±
8.6 一个
流 电流 (脉冲波)
Note2
I
d(脉冲波)
±
80.0 一个
总的 电源 消耗 (2 单位)
Note1
P
T1
2.5 w
总的 电源 消耗 (2 单位)
Note3
P
T2
0.7 w
频道 温度 T
ch
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至 +150
°
C
注释 1.
挂载 在 陶瓷的 板 的 50 cm
2
x 1.1 mm
2.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
3.
挂载 在 fr-4 板 的 50 cm
2
x 1.1 mm
Remark
这 二极管 连接 在 这 门 和 源 的这 晶体管 serves 作 一个 protector 相反 静电释放.
当 这个 设备 的确 使用, 一个 额外的 保护 电路 是 externally 必需的 如果 一个 电压 exceeding
这 评估 电压 将 是 应用 至 这个 设备.
包装 绘画 (单位: mm)
1
2
3
6
5
4
4.4±0.1
5.0±0.1
0.5±0.10.5±0.1
0.25
+0.1
-0.05
0.145±0.05
0.8 最大值
0.05
+0
-0.05
7
(0.9)
(0.15)
(1.45)
(2.2)(0.5)
1.85±0.1
2.0±0.1
1,2:
3:
7:
各自 含铅的 有 一样 维度.
源 1
门 1
流
5,6:
4:
源 2
门 2
相等的 电路
Source2
身体
二极管
门
保护
二极管
Gate2
Drain2
Source1
身体
二极管
门
保护
二极管
Gate1
Drain1
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