tc58fvm6(t/b)2a(ft/xb)65
2003-01-29 1/61
•
块 擦掉 architecture
8
×
8 kbytes/127
×
64 kbytes
•
激励 块 architecture
tc58fvm6t2a: 顶 激励 块
tc58fvm6b2a: bottom 激励 块
•
模式 控制
兼容 和 电子元件工业联合会 标准 commands
•
擦掉/程序 循环
10
5
循环 典型值
•
进入 时间 (随机的/页)
V
DD
cl = 30 pf cl = 100 pf
2.7~3.6 v 65 ns/25 ns 70 ns/30 ns
2.3~3.6 v 70 ns/30 ns 75 ns/35 ns
•
电源 消耗量
10
µ
一个 (备用物品)
15 毫安 (程序/擦掉 运作)
55 毫安 (随机的 读 运作)
11 毫安 (地址 increment 读 运作)
5 毫安 (页 读 运作)
•
包装
TC58FVM6
**
aft:
tsopi48-p-1220-0.50 (重量: 0.51 g)
TC58FVM6
**
axb:
p-tfbga56-0710-0.80az (重量: 0.125 g)
toshiba mos 数字的 整体的 电路 硅 门 cmos
64mbit (8m
×
8 位/4m
×
16 位) cmos flash 记忆
描述
这 tc58fvm6t2a/b2a 是 一个 67108864-位, 3.0-v 读-仅有的 用电气 可擦掉的 和 可编程序的 flash
记忆 有组织的 作 8388608 words
×
8 位 或者 作 4194304 words
×
16 位. 这 tc58fvm6t2a/b2a 特性
commands 为 读, 程序 和 擦掉 行动 至 准许 容易 接合 和 微处理器. 这 commands
是 为基础 在 这 电子元件工业联合会 标准. 这 程序 和 擦掉 行动 是 automatically executed 在 这 碎片. 这
tc58fvm6t2a/b2a 也 特性 一个 同时发生的 读/写 运作 所以 那 数据 能 是 读 在 一个 写 或者
擦掉 运作.
特性
•
电源 供应 电压
V
DD
=
2.3 v~3.6 v
•
运行 温度
Ta
=
−
40
°
C~85
°
C
•
Organization
8M
×
8 位/4m
×
16 位
•
功能
同时发生的 读/写
页 读
自动 程序, 自动 页 程序
自动 块 擦掉, 自动 碎片 擦掉
快 程序 模式/acceleration 模式
程序 suspend/重新开始
擦掉 suspend/重新开始
数据 polling/toggle 位
块 保护, 激励 块 保护
自动 睡眠, 支持 为 hidden 只读存储器 范围
一般 flash 记忆 接口 (cfi)
字节/文字 模式
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