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mos 地方 效应 晶体管
µ
PA1870B
n-频道 mos 地方效应 晶体管
为 切换
数据 薄板
文档 非. g16741ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 october 2003 ns cp(k)
打印 在 日本
2003
描述
这
µ
pa1870b 是 一个 切换 设备 这个 能 是 驱动
直接地 用 一个 2.5 v 电源 源.
这
µ
pa1870b 特性 一个 低 在-状态 阻抗 和
极好的 切换 特性, 和 是 合适的 为
产品 此类 作 电源 转变 的 可携带的 机器 和
所以 在.
特性
•
2.5 v 驱动 有
•
低 在-状态 阻抗
R
ds(在)1
= 16.0 m
Ω
典型值 (v
GS
= 4.5 v, i
D
= 3.0 一个)
R
ds(在)2
= 16.5 m
Ω
典型值 (v
GS
= 4.0 v, i
D
= 3.0 一个)
R
ds(在)3
= 20.0 m
Ω
典型值 (v
GS
= 2.5 v, i
D
= 3.0 一个)
•
建造-在 g-s 保护 二极管 相反 静电释放
订货 信息
部分 号码 包装
µ
pa1870bgr-9jg 电源 tssop8
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c)
流 至 源 电压 (v
GS
= 0 v) V
DSS
20.0 v
门 至 源 电压 (v
DS
= 0 v) V
GSS
±12.0 v
流 电流 (直流)
便条 1
I
d(直流)
±6.0 一个
流 电流 (脉冲波)
便条 2
I
d(脉冲波)
±80.0 一个
总的 电源 消耗
便条 1
P
T
2.0 w
频道 温度 T
ch
150 °c
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 °C
注释 1.
挂载 在 陶瓷的 基质 的 50 cm
2
x 1.1
mm
2.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
Remark
这 二极管 连接 在 这 gate 和 源 的 这 晶体管 serves 作 一个 protector 相反 静电释放.
当 这个 设备 的确 使用, 一个 额外的 保护 circuit 是 externally 必需的 如果 一个 电压 exceeding
这 评估 电压 将 是 应用 至 这个 设备.
包装 绘画 (单位: mm)
14
85
6.4 ±0.2
4.4 ±0.1
1.0 ±0.2
0.145
±0.055
0.1
0.8 最大值
3.15 ±0.15
3.0 ±0.1
0.65
0.10 m
0.27
+0.03
–0.08
0.25
0.5
3
°
+5
°
–3
°
0.6
+0.15
–0.1
1.2 最大值
0.1±0.05
1.0±0.05
1 :drain1
2, 3 :source1
4 :gate1
5 :gate2
6, 7 :source2
8 :drain2
相等的 电路
Source2
身体
二极管
门
保护
二极管
Gate2
Drain2
Source1
身体
二极管
门
保护
二极管
Gate1
Drain1
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