irlr/u3303
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
S
D
G
参数 典型值 最大值 单位
R
q
JC
接合面-至-情况 ––– 2.2
R
q
JA
情况-至-包围的 (pcb 挂载)** ––– 50 °c/w
R
q
JA
接合面-至-包围的 ––– 110
热的 阻抗
V
DSS
= 30v
R
ds(在)
= 0.031
W
I
D
= 35a
描述
www.irf.com 1
D-pak
至-252aa
i-pak
至-251aa
逻辑-水平的 门 驱动
过激 低 在-阻抗
表面 挂载 (irlr3303)
笔直地 含铅的 (irlu3303)
先进的 处理 技术
快 切换
全部地 avalanche 评估
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器 utilize 先进的
处理 技巧 至 达到 这 最低 可能 在-阻抗 每
硅 范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 好 知道 为,
提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的 设备 为 使用 在 一个 宽
多样性 的 产品.
这 d-pak 是 设计 为 表面 挂载 使用 vapor 阶段, infrared, 或者
波 焊接 技巧. 这 笔直地 含铅的 版本 (irfu 序列) 是 为
通过-孔 挂载 产品. 电源 消耗 水平 向上 至 1.5 watts
是 可能 在 典型 表面 挂载 产品.
** 当 挂载 在 1" 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料 ) .
为 推荐 footprint 和 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 35
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 25 一个
I
DM
搏动 流 电流
140
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 68 W
直线的 减额 因素 0.45 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 16 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
130 mJ
I
AR
avalanche 电流
20 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
6.8 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
绝对 最大 比率
pd - 91316f
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