2001. 2. 24 1/2
半导体
技术的 数据
KTA1504S
外延的 planar pnp 晶体管
修订 非 : 2
一般 目的 应用.
切换 应用.
特性
极好的 h
FE
线性
: h
FE
(0.1ma)/h
FE
(2ma)=0.95(典型值.).
低 噪音 : nf=1db(典型值.), 10db(最大值.).
complementary 至 ktc3875s.
最大 比率 (ta=25
)
DIM
毫米
1. 发射级
2. 根基
3. 集电级
sot-23
一个
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 最小值
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
一个
N
C
B
D
1.30 最大值
LL
PP
P7
+
_
电的 特性 (ta=25
)
便条 : h
FE
分类 o:70
140 , y:120
240 , gr(g):200
400
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压
V
CBO
-50 V
集电级-发射级 电压
V
CEO
-50 V
发射级-根基 电压
V
EBO
-5 V
集电级 电流
I
C
-150 毫安
根基 电流
I
B
-30 毫安
集电级 电源 消耗
P
C
150 mW
接合面 温度
T
j
150
存储 温度 范围
T
stg
-55
150
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截-止 电流
I
CBO
V
CB
=-50v, i
E
=0
- - -0.1
一个
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
=-5v, i
C
=0
- - -0.1
一个
直流 电流 增益
h
FE
(便条) V
CE
=-6v, i
C
=-2ma
70 - 400
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
=-100ma, i
B
=-10ma
- -0.1 -0.3 V
转变 频率
f
T
V
CE
=-10v, i
C
=-1ma
80 - - MHz
集电级 输出 电容
C
ob
V
CB
=-10v, i
E
=0, f=1mhz
- 4.0 7.0 pF
噪音 图示 NF
V
CE
=-6v, i
C
=-0.1ma
f=1khz, rg=10k
- 1.0 10 dB
h 分级
类型 名字
标记
lot 非.
作
FE
: 点此下载
