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特性
converts cmos sram 在 nonvolatile
记忆
unconditionally 写-保护 sram 当
V
CC
是 输出 的 容忍
automatically switches 至 电池 backup
供应 当 v
CC
电源 失败 occurs
monitors 电压 的 一个 lithium cell 和
提供 先进的 警告 的 impending
电池 失败
信号 低-电池 情况 在 起作用的 低
电池 警告 输出 信号
optional -5% 或者 -10% 电源-失败 发现
空间-节省 8-管脚 插件 和 soic 包装
optional 16-管脚 soic 和 20-管脚 tssop
版本 重置 处理器 当 电源 失败
occurs 和 支撑 处理器 在 重置 在
系统 电源-向上
工业的 温度 范围 的 -40°c 至
+85°C
管脚 分派
管脚 描述
V
CCI
- +5v 电源 供应 输入
V
CCO
- sram 电源 供应 输出
V
BAT
- backup 电池 输入
CEI
- 碎片 使能 输入
CEO
- 碎片 使能 输出
TOL - v
CC
容忍 选择
BW
- 电池 警告 输出
(打开 流)
RST
- 重置 输出 (打开 流)
地 - 地面
NC - 非 连接
描述
这 ds1312 nonvolatile 控制 和 电池 监控 是 一个 cmos 电路 这个 solves 这 应用
问题 的 converting cmos 内存 在 nonvolatile 记忆. 新当选的 电源 是 监控 为 一个 输出-
的-容忍 情况. 当 此类 一个 情况 是 发现, 碎片 使能 是 inhibited 至 accomplish 写
保护 和 这 电池 是 切换 在 至 供应 这 内存 和 uninterrupted 电源. 特定的 电路系统
使用 一个 低-泄漏 cmos 处理 这个 affords 准确的 电压 发现 在 极其 低 电池
消耗量.
DS1312
nonvolatile 控制 和 lithium
电池 监控
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NC
V
CCI
RST
NC
NC
BW
NC
CEO
NC
CEI
NC
V
CCO
NC
V
BAT
NC
NC
TOL
NC
NC
地
ds1312e 20-管脚 tssop
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地
TOL
V
BAT
V
CCO
V
CCI
BW
CEO
CEI
ds1312s-2 8-管脚 soic
(150-mil)
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地
TOL
V
BAT
V
CCO
V
CCI
BW
CEO
CEI
ds1312 8-管脚 插件
(300-mil)
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NC
V
CCO
NC
V
BAT
NC
TOL
NC
地
NC
V
CCI
RST
NC
BW
CEO
NC
CEI
ds1312s 16-管脚 soic
(300-mil)
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