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数据 薄板
mos 地方 效应 transisT或者
描述
这 2sk2415 是 n-频道 mos 地方 效应 晶体管 设计
为 高 电压 切换 产品.
特性
•
低 在-阻抗
R
ds(在)1
= 0.10
Ω
最大值 (@V
GS
= 10 v, i
D
= 4.0 一个)
R
ds(在)2
= 0.15
Ω
最大值 (@V
GS
= 4 v, i
D
= 4.0 一个)
•
低 c
iss
C
iss
= 570 pf tyP
.
质量 等级
标准
请 谈及 至 "质量 等级 在 nec 半导体 设备" (文档
号码 iei-1209) 发行 用 nec 公司 至 know 这
规格 的 质量 等级 在 这 设备 和 它的 推荐 applica-
tions.
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
流 至 源 电压V
DSS
60V
门 至 源 电压V
GSS
±
20V
流 电流 (直流)I
d(直流)
±
8.0一个
流 电流 (脉冲波)
*
I
d(脉冲波)
±
32一个
总的 电源 消耗 (t
c
= 25 ˚c)P
T1
20W
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25 ˚c)P
T2
1.0W
频道 温度T
ch
150
°
C
存储 温度T
stg
–55 至 +150
°
C
单独的 avalanche 电流
**
I
作
8.0一个
单独的 avalanche 活力
**
E
作
6.4mJ
*
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
**
开始 t
ch
= 25
°
c, r
G
= 25
Ω
,V
GS
= 20 v
→
0
文档 非. d13207ej1v1ds00 (1st 版本)
(previous 非. tc-2496)
日期 发行 12月 1997 n cp(k)
打印 在 日本
2sk2415, 2sk2415-z
切换
n-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
包装 维度
(在 毫米)
这 信息 在 这个 文档 是 主题 至 改变 没有 注意.
1994
1. 门
2. 流
3. 源
4. fin (流)
6.5 ± 0.2
至-251 (mp-3)
5.0 ± 0.2
2.3 ± 0.2
0.5 ± 0.1
0.6 ± 0.1
0.6 ± 0.1
1.3
最大值
1.6 ± 0.2
13
5.5 ± 0.2
7.0
最大值
13.7
最小值
2.32.3
0.75
4
1.5
+
0.2
–
0.1
2
6.5 ± 0.2
5.0 ± 0.2
2.3 ± 0.2
0.5 ± 0.1
4.3
最大值
1.3
最大值
2.32.3
123
4
1.5
+
0.2
–
0.1
0.9
最大值
0.8
最大值
0.8
0.5
0.8
12.0
最小值
1.0
最小值
1.5
典型值
1. 门
2. 流
3. 源
4. fin (流)
5.5 ± 0.2
10.0
最大值
流
门
源
身体
二极管
门 保护
二极管
至-252 (mp-3z)
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