BSM10GD120DN2_集成电路资料查询网

半导体 组
1 jan-10-1997
bsm 10 gd 120 dn2
igbt  电源 单元
• 电源 单元
• 3-阶段 全部-桥
• 包含 快 自由-轮子 二极管
• 包装 和 insulated metal 根基 加设护板
类型
V
CE
I
C
包装 订货 代号
bsm 10 gd 120 dn2 1200V 15A econopack 2 c67076-a2513-a67
bsm 10 gd120dn2e3224 1200V 15A econopack 2k c67070-a2513-a67
最大 比率
参数
标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
1200 V
集电级-门 电压
R
GE
= 20 k
Ω
V
CGR
1200
门-发射级 电压
V
GE
± 20
直流 集电级 电流
T
C
= 25 °c
T
C
= 80 °c
I
C
10
15
一个
搏动  集电级 电流,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °c
T
C
= 80 °c
I
Cpuls
20
30
电源 消耗 每 igbt
T
C
= 25 °c
P
tot
80
W
碎片 温度
T
j
+ 150 °C
存储 温度
T
stg
-55 ... + 150
热的 阻抗, 碎片 情况
R
thJC
≤
1.52
k/w
二极管 热的 阻抗, 碎片 情况
R
thJC
D
≤
2
绝缘 测试 电压,
t
= 1min.
V
是
2500 Vac
creepage 距离 - 16 mm
Clearance - 11
din 湿度 类别, din 40 040 - F 秒
iec climatic 类别, din iec 68-1 - 55 / 150 / 56

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半导体组 1 jan-10-1997 bsm 10 gd 120 dn2 igbt 电源单元 • 电源单元 • 3-阶段全部-桥 • 包含快自由-轮子二极管 • 包装和 insulated metal 根基加设护板类型 V CE I C 包装订货代号 bsm 10 gd 120 dn2 1200V 15A econopack 2 c67076-a2513-a67 bsm 10 gd120dn2e3224 1200V 15A econopack 2k c67070-a2513-a67 最大比率参数标识值单位集电级-发射级电压 V CE 1200 V 集电级-门电压 R GE = 20 k Ω V CGR 1200 门-发射级电压 V GE ± 20 直流集电级电流 T C = 25 °c T C = 80 °c I C 10 15 一个搏动集电级电流, t p = 1 ms T C = 25 °c T C = 80 °c I Cpuls 20 30 电源消耗每 igbt T C = 25 °c P tot 80 W 碎片温度 T j + 150 °C 存储温度 T stg -55 ... + 150 热的阻抗, 碎片情况 R thJC ≤ 1.52 k/w 二极管热的阻抗, 碎片情况 R thJC D ≤ 2 绝缘测试电压, t = 1min. V 是 2500 Vac creepage 距离 - 16 mm Clearance - 11 din 湿度类别, din 40 040 - F 秒 iec climatic 类别, din iec 68-1 - 55 / 150 / 56

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