smbt 3906s
半导体 组
sep-07-19981
pnp 硅 切换 晶体管 排列
•
高 直流 电流 增益: 0.1ma 至 100ma
•
低 集电级-发射级 饱和 电压
•
二 ( galvanic) 内部的 分开的 晶体管
和 高 相一致 在 一个 包装
•
complementary 类型: smbt 3904s (npn)
VPS05604
6
3
1
5
4
2
类型 标记 订货 代号 packagepin 配置
1/4=e1/e2s2asmbt 3906s 2/5=b1/b2 3/6=c2/c1 sot-363q62702-a1202
最大 比率
UnitParameter 标识 值
集电级-发射级 电压
V
CEO
V40
40collector-根基 电压
V
CBO
发射级-根基 电压 6
V
EBO
直流 集电级 电流
I
C
毫安200
250 mW
总的 电源 消耗,
T
S
= 115 °c
P
tot
°C
T
j
接合面 温度
150
存储 温度
T
stg
- 65...+150
热的 阻抗
接合面 包围的
1)
R
thJA
≤
275
k/w
接合面 - 焊接 要点
R
thJS
≤
140
1) 包装 挂载 在 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm
2
Cu
半导体 组 1 1998-11-01
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