hb526c272en-10in,
hb526c472en-10in
1,048,576-文字
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72-位
×
2-bank 同步的 动态 内存
单元
1,048,576-文字
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72-位
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4-bank 同步的 动态 内存
单元
ade-203-693c (z)
rev. 3.0
将. 15, 1997
描述
这 hb526c272en, hb526c472en belong 至 8-字节 dimm (双 在-线条 记忆 module) family, 和
有 被 开发 作 一个 优化 主要的 记忆 解决方案 为 8-字节 处理器 产品. 这
hb526c272en 是 一个 1m
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72
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2-bank 同步的 动态 内存 单元, 挂载 9 片 的 16-mbit
sdram (hm5216805tt) sealed 在 tsop 包装 和 1 片 的 串行 可擦可编程只读存储器 (24c02) 为 存在
发现 (pd). 这 hb526c472en 是 一个 1m
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4-bank 同步的 动态 内存 单元, 挂载 18
片 的 16-mbit sdram (hm5216805tt) sealed 在 tsop 包装 和 1 片 的 串行 可擦可编程只读存储器
(24c02) 为 存在 发现 (pd). 一个 外形 的 这 hb526c272en, hb526c472en 是 168-管脚 插座
类型 包装 (双 含铅的 输出). 因此, 这 hb526c272en, hb526c472en 制造 高 密度 挂载
可能 没有 表面 挂载 技术. 这 hb526c272en, hb526c472en 提供 一般 数据
输入 和 输出. 解耦 电容 是 挂载 beside 各自 tsop 在 这 单元 板.
特性
•
168-管脚 插座 类型 包装 (双 含铅的 输出)
外形: 133.37 mm (长度)
×
31.75 mm (height)
×
2.92/4.00 mm (厚度)
含铅的 程度: 1.27 mm
•
3.3v 电源 供应
•
时钟 频率: 66 mhz
•
电子元件工业联合会 标准 外形 unbuffered 8-字节 dimm
•
lvttl 接口
•
数据 总线 宽度:
×
72 (ecc) 位
•
2 banks 能 运作 同时发生地 和 independently
•
burst 读/写 运作 和 burst 读/单独的 写 运作 能力
•
可编程序的 burst 长度: 1/2/4/8/全部 页
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