1
晶体管
2SC3935
硅 npn 外延的 planer 类型
为 高-频率 放大器/振动/混合
■
特性
●
高 转变 频率 f
T
.
●
小 集电级 输出 电容 c
ob
和 一般 根基 反转
转移 电容 c
rb
.
●
s-迷你 类型 包装, 准许 downsizing 的 这 设备 和
自动 嵌入 通过 这 录音带 包装 和 这 magazine
包装.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:根基
2:发射级 eiaj:sc–70
3:集电级 s–mini 类型 包装
2.1
±
0.1
1.3
±
0.10.9
±
0.1
0.7
±
0.1
0.3
+0.1
–0
0.15
+0.1
–0.05
2.0
±
0.2
1.25
±
0.1 0.4250.425
1
3
2
0.650.2 0.65
0 至 0.1
0.2
±
0.1
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
15
10
3
50
150
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
毫安
mW
˚C
˚C
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
集电级 输出 电容
一般 发射级 反转 转移 电容
根基 时间 常量
h
FE
比率
标识
I
CBO
I
CEO
V
CEO
V
EBO
h
FE1
h
FE2
V
ce(sat)
f
T
C
ob
C
rb
r
bb
' · c
C
h
fe(比率)
情况
V
CB
= 10v, i
E
= 0
V
CE
= 10v, i
B
= 0
I
C
= 2ma, i
B
= 0
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= 2.4v, i
C
= 7.2ma
V
CE
= 2.4v, i
C
= 100
µ
一个
I
C
= 20ma, i
B
= 4ma
V
CE
= 2.4v, i
C
= 7.2ma, f = 200mhz
V
CB
= 4v, i
E
= 0, f = 1mhz
V
CB
= 4v, i
E
= 0, f = 1mhz
V
CB
= 4v, i
E
= –5ma, f = 31.9mhz
V
CE
= 2.4v, i
C
= 100
µ
一个
V
CE
= 2.4v, i
C
= 7.2ma
最小值
10
3
75
75
1.4
0.75
典型值
1.9
0.9
0.25
11.8
最大值
1
10
220
0.5
2.5
1.1
0.35
13.5
1.6
单位
µ
一个
µ
一个
V
V
V
GHz
pF
pF
ps
*1
h
FE
分级 分类
分级 P Q
h
FE
75 ~ 130 110 ~ 220
标记 标识 :
1S
: 点此下载
