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九月 1983
修订 8月 2000
mm74hc244 octal 3-状态 缓存区
MM74HC244
octal 3-状态 缓存区
一般 描述
这 mm74hc244 是 一个 非-反相的 缓存区 和 有 二
起作用的 低 使能 (1g 和 2g); 各自 使能 indepen-
dently 控制 4 缓存区. 这个 设备 做 不 有
施密特 触发 输入.
这些 3-状态 缓存区 utilize 先进的 硅-门
cmos 技术 和 是 一般 目的 高 速
非-反相的 缓存区. 它们 possess 高 驱动 电流 输出-
puts 这个 使能 高 速 运作 甚至 当 驱动
大 总线 capacitances. 这些 电路 达到 speeds
comparable 至 低 电源 肖特基 设备, 当 retaining
这 有利因素 的 cmos 电路系统, i.e., 高 噪音 免除,
和 低 电源 消耗量. 所有 三 设备 有 一个
输出 的 15 ls-ttl 相等的 输入.
所有 输入 是 保护 从 损坏 预定的 至 静态的 dis-
承担 用 二极管 至 v
CC
和 地面.
特性
■
典型 传播 延迟: 14 ns
■
3-状态 输出 为 连接 至 系统 buses
■
宽 电源 供应 范围: 2–6v
■
低 安静的 供应 电流: 80
µ
一个
■
输出 电流: 6 毫安
订货 代号:
设备 也 有 在 录音带 和 卷轴. 具体说明 用 appending 这 后缀 letter
“
X
”
至 这 订货 代号.
连接 图解
至p view
真实 表格
H
=
高 水平的
L
=
低 水平的
Z
=
高 阻抗
顺序 号码 包装 号码 包装 描述
MM74HC244WM M20B 20-含铅的 小 外形 整体的 电路 (soic), 电子元件工业联合会 ms-013, 0.300
”
宽
MM74HC244SJ M20D 20-含铅的 小 外形 包装 (sop), eiaj 类型 ii, 5.3mm 宽
MM74HC244MTC MTC20 20-含铅的 薄的 shrink 小 外形 包装 (tssop), 电子元件工业联合会 mo-153, 4.4mm 宽
MM74HC244N N20A 20-含铅的 塑料 双-在-线条 包装 (pdip), 电子元件工业联合会 ms-001, 0.300
”
宽
1G 1A 1Y 2G 2A 2Y
LLLLLL
LHHLHH
HLZHLZ
HHZHHZ