1/9august 2001
■
高 速:
t
PD
= 13ns (典型值.) 在 v
CC
= 4.5v
■
低 电源 消耗:
I
CC
= 4
µ
一个(最大值.) 在 t
一个
=25°C
■
兼容 和 ttl 输出 :
V
IH
= 2v (最小值.) v
IL
= 0.8v (最大值)
■
保持平衡 传播 延迟:
t
PLH
≅
t
PHL
■
对称的 输出 阻抗:
|I
OH
| = i
OL
= 6ma (最小值)
■
管脚 和 函数 兼容 和
74 序列 125
描述
这 m74hct125 是 一个 高 速 cmos 四方形
缓存区 (3-状态) fabricated 和 硅 门
C
2
mos 技术.
这 设备 需要 这 3-状态 控制 输入 g
至 是 设置 高 至 放置 这 输出 在 至 这 高
阻抗 状态.
这 m74hct125 是 设计 至 直接地 接口
HSC
2
mos 系统 和 ttl 和 nmos
组件.
所有 输入 是 配备 和 保护 电路
相反 静态的 释放 和 瞬时 excess
电压.
M74HCT125
四方形 总线 缓存区 (3-状态)
管脚 连接 和 iec 逻辑 symbols
顺序 代号
包装 TUBE t &放大; r
插件 M74HCT125B1R
SOP M74HCT125M1R M74HCT125RM13TR
TSSOP M74HCT125TTR
TSSOPDIP SOP
: 点此下载
