©2002 仙童 半导体 公司
六月 2002
fdb2532 / fdp2532 / fdi2532 rev. a1
fdb2532 / fdp2532 / fdi2532
fdb2532 / fdp2532 / fdi2532
n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
150v, 79a, 16m
Ω
特性
•r
ds(在)
= 14m
Ω
(典型值.), v
GS
= 10v, i
D
= 33a
•Q
g
(tot) = 86nc (典型值.), v
GS
= 10v
• 低 miller 承担
•low q
RR
身体 二极管
• uis 能力 (单独的 脉冲波 和 repetitive 脉冲波)
• qualified 至 aec q101
formerly developmental 类型 82884
产品
• 直流/直流 转换器 和 止-线条 ups
• distributed 电源 architectures 和 电压有效值
• primary 转变 为 24v 和 48v 系统
• 高 电压 同步的 整流器
• 直接 injection / diesel injection 系统
• 42v automotive 加载 控制
• 电子的 valve train 系统
场效应晶体管 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
热的 特性
这个 产品 有 被 设计 至 满足 这 extreme 测试 情况 和 环境 demanded 用 这 automotive 工业. 为 一个
copy 的 这 (所需的)东西, 看 aec q101 在: http://www.aecouncil.com/
可靠性 数据 能 是 建立 在: http://www.fairchildsemi.com/产品/分离的/可靠性/index.html.
所有 仙童 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面 iso9000 和 qs9000 质量 系统
certification.
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流 至 源 电压 150 V
V
GS
门 至 源 电压
±
20 V
I
D
流 电流
79 一个
持续的 (t
C
= 25
o
c, v
GS
= 10v)
持续的 (t
C
= 100
o
c, v
GS
= 10v) 56 一个
持续的 (t
amb
= 25
o
c, v
GS
= 10v, r
θ
JA
= 43
o
c/w) 8 一个
搏动 图示 4 一个
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力 (便条 1) 400 mJ
P
D
电源 消耗 310 W
减额 在之上 25
o
c2.07w/
o
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 -55 至 175
o
C
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面 至 情况 至-220, 至-263, 至-262 0.48
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-220, 至-262 (便条 2) 62
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-263, 1in
2
铜 垫子 范围 43
o
c/w
S
G
D
至-263ab
fdb 序列
至-220ab
fdp 序列
流
流
门
门
源
源
(flange)
流
(flange)
流
(flange)
流
源
门
至-262ab
fdi 序列
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