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资料编号:1097607
 
资料名称:E28F128J3A150
 
文件大小: 896443K
   
说明
 
介绍:
IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16/16MX8,CMOS,TSSOP,56PIN,PLASTIC
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Intel StrataFlash
®
记忆 (j3)
28f256j3, 28f128j3, 28f640j3, 28F320J3 (x8/x16)
数据手册
产品 特性
Capitalizing Intel’s 0.25 0.18 micron, two-位-每-cell 技术, Intel StrataFlash
®
记忆 (j3)
设备 提供 2X 1X 空间, 特性 mainstream 效能. Offered 256-
Mbit (32-mbyte), 128-mbit (16-mbyte), 64-mbit, 32-mbit densities, J3 设备 brings 可依靠的, 二-位-
每-cell 存储 技术 flash market 段. 益处 包含 更多 密度 较少 空间, 高-速
接口, 最低 费用-每-位 也不 设备, 支持 代号 数据 存储, 容易 migration future
设备.
使用 一样 也不-为基础 ETOX™ 技术 Intel’s 一个-位-每-cell 产品, J3 设备 takes
有利因素 一个 billion 单位 flash 制造 experience 自从 1987. 一个 结果, J3 组件
完美的 代号 数据 产品 在哪里 密度 费用 必需的. Examples 包含
networking, telecommunications, 数字的 设置 boxes, 音频的 recording, 数字的 imaging.
应用 FlashFile™ 记忆 家族 pinouts, J3 记忆 组件 准许 容易 设计 migrations
存在 文字-宽 FlashFile 记忆 (28f160s3 28f320s3), 第一 一代 Intel StrataFlash
®
记忆 (28f640j5 28f320j5) 设备.
J3 记忆 组件 deliver 一个 一代 向前-兼容 软件 支持. 使用
一般 Flash 接口 (cfi) 可称量的 Command 设置 (scs), 客户 引领 有利因素 密度
升级 优化 能力 future Intel StrataFlash
®
记忆 设备. 制造的 Intel
®
0.18 micron ETOX™ VII (j3c) 0.25 micron ETOX™ VI (j3a) 处理 技术, J3 记忆 设备
提供 最高的 水平 质量 可靠性.
效能
110/115/120/150 ns 最初的 进入
125 ns 最初的 进入 (256 Mbit
密度 仅有的)
25 ns 异步的 页-模式
30 ns 异步的 页-模式
(256mbit 密度 仅有的)
32-字节 缓存区
—6.8 µs 字节 有效的
程序编制 时间
软件
程序 擦掉 suspend 支持
Flash 数据 积分器 (fdi), 一般
Flash 接口 (cfi) 兼容
安全
128-位 保护 寄存器
—64-位 唯一的 设备 Identifier
—64-位 用户 可编程序的 OTP Cells
绝对 保护 V
PEN
=GND
单独的 Locking
擦掉/程序 Lockout
电源 Transitions
Architecture
multi-水平的 Cell 技术:
密度 费用
高-密度 对称的 128-kbyte
Blocks
—256 Mbit (256 blocks) (0.18µm 仅有的)
—128 Mbit (128 blocks)
6
4 Mbit (64 blocks)
—32 Mbit (32 blocks)
质量 可靠性
运行 温度:
-40 °C +85 °C
100K 最小 擦掉 循环
0.18 µm ETOX™ VII 处理 (j3c)
0.25 µm ETOX™ VI 处理 (j3a)
包装 电压
56-含铅的 TSOP 包装
64-球 Intel
®
容易 BGA 包装
48-球 Intel
®
VF BGA 包装 (32
64 mbit) (x16 仅有的)
—V
CC
=
2.7 V 3.6 V
—V
CCQ
= 2.7 V 3.6 V
顺序 号码: 290667-018
2004
注意:
这个 文档 包含 信息 产品 生产. 规格
主题 改变 没有 注意. 核实 your local Intel 销售 办公室 最新的
数据手册 在之前 finalizing 一个 设计.
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