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2005 微芯 技术 公司 ds21797f-页 1
93aa86a/b/c, 93lc86a/b/c,
93c86a/b/c
设备 选择 表格
特性:
• 低-电源 cmos 技术
• org 管脚 至 选择 文字 大小 为 ‘86c’ 版本
• 2048 x 8-位 organization ‘a’ 设备 (非 org)
• 1024 x 16-位 organization ‘b’ 设备 (非 org)
• 程序 使能 管脚 至 写-保护 这 全部
排列 (‘86c’ 版本 仅有的)
• 自-安排时间 擦掉/写 循环 (包含
自动-擦掉)
• 自动 eral 在之前 wral
• 电源-开关 数据 保护 电路系统
• 工业 标准 3-线 串行 i/o
• 设备 状态 信号 (准备好/busy
)
• sequential 读 函数
• 1,000,000 e/w 循环
• 数据 保持 > 200 年
• 温度 范围 supported:
管脚 函数 表格
描述:
这 微芯 技术 公司 93xx86a/b/c 设备
是 16k 位 低-电压 串行 用电气 可擦掉的
proms (可擦可编程只读存储器). 文字-可选择的 设备 此类 作
这 93xx86c 是 依赖 在之上 外部 逻辑
水平 驱动 这 org 管脚 至 设置 文字 大小. 在 这
sot-23 包装, 这 93xx86a 设备 提供
专心致志的 8-位 记忆 organization, 当 这
93xx86b 设备 提供 专心致志的 16-位 记忆
organization. 一个 程序 使能 (pe) 管脚 准许 这
用户 至 写-保护 这 全部 记忆 排列.
先进的 cmos 技术 制造 这些 设备
完美的 为 低-电源, nonvolatile 记忆 产品.
这 全部 93xx 序列 是 有 在 标准
包装 包含 8-含铅的 pdip 和 soic, 和
先进的 包装 包含 8-含铅的 msop, 6-含铅的
sot-23, 8-含铅的 2x3 dfn 和 8-含铅的 tssop. pb-free
(pure 表面粗糙的 sn) 完成 是 有.
包装 类型 (不 至 规模)
部分 号码 V
CC
范围 org 管脚 pe 管脚 文字 大小 温度 范围 包装
93AA86A 1.8-5.5 非 非 8-位 I OT
93AA86B 1.8-5-5 非 非 16-位 I OT
93LC86A 2.5-5.5 非 非 8-位 i, e OT
93LC86B 2.5-5.5 非 非 16-位 i, e OT
93C86A 4.5-5.5 非 非 8-位 i, e OT
93C86B 4.5-5.5 非 非 16-位 i, e OT
93AA86C 1.8-5.5 Yes Yes 8 或者 16-位 I p, sn, st, ms, mc
93LC86C 2.5-5.5 Yes Yes 8 或者 16-位 i, e p, sn, st, ms, mc
93C86C 4.5-5.5 Yes Yes 8 或者 16-位 i, e p, sn, st, ms, mc
- 工业的 (i) -40°c 至 +85°c
- automotive (e) -40°c 至 +125°c
名字 函数
CS 碎片 选择
CLK 串行 数据 时钟
DI 串行 数据 输入
做 串行 数据 输出
V
SS
地面
PE 程序 使能
ORG 记忆 配置
V
CC
电源 供应
CS
CLK
DI
做
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
PE
ORG
V
SS
pdip/soic
(p, sn)
tssop/msop
CS
CLK
DI
做
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
PE
ORG
V
SS
(st, ms)
sot-23
做
V
SS
DI
1
2
3
6
5
4
V
CC
CS
CLK
(ot)
DFN
CS
CLK
DI
做
PE
ORG
V
SS
V
CC
8
7
6
5
1
2
3
4
(mc)
16k microwire compatible 串行 可擦可编程只读存储器
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