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资料编号:1117667
 
资料名称:MMBT3906TT1
 
文件大小: 60K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 industries, llc, 2002
april,2002 – rev. 0
1
发行 顺序 号码:
mmbta56wt1/d


pnp 硅
潮气 敏锐的 水平的: 1
静电释放 比率: 人 身体 模型 – 4 kv
静电释放 比率:机器 模型 – 400 v
最大 比率
比率 标识 单位
CEO
–80 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
–80 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
–4.0 Vdc
集电级 电流 – 持续的 I
C
–500 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr–5 板
T
一个
= 25
°
C
P
D
150 mW
热的 阻抗,
接合面 至 包围的
R
JA
833
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150
°
C
设备 包装 Shipping
订货 信息
MMBTA56WT1 SC–70
SC–70
情况 419
样式 3
3000/tape &放大; 卷轴
2
3
1
标记 图解
fm d
FM = 明确的 设备 代号
D = 日期 代号
集电级
3
1
根基
2
发射级
http://onsemi.com
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