半导体 组件 industries, llc, 2005
8月, 2005 −rev. 2
1
发行 顺序 号码:
ntd95n02r/d
NTD95N02R
电源 场效应晶体管
95 放大器, 24 伏特
n−channel dpak
特性
•
高 电源 和 电流 处理 能力
•
快 切换 效能
•
低 r
ds(在)
至 降低 传导 丧失
•
低 门 承担 至 降低 切换 losses
•
pb−free 包装 是有
产品
•
cpu motherboard vcore 产品
•
高 频率 dc−dc 转换器
•
发动机 驱动
•
桥 电路
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指定)
参数
标识 值 单位
drain−to−source voltage V
DSS
24 V
gate−to−source voltage V
GS
±
20 V
热的 阻抗, junction−to−case
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
流 电流 –
− 持续的 @ t
一个
= 25
°
c, 限制 用 包装
− 持续的 @ t
一个
= 25
°
c, 限制 用 线
R
JC
P
D
I
D
I
D
1.45
86
95
32
°
c/w
W
一个
一个
热的 阻抗, junction−to− 包围的
(便条 1)
− 总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
− 流 电流 − 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
R
JA
P
D
I
D
52
2.4
15.8
°
c/w
W
一个
热的 阻抗, junction−to−ambient
(便条 2)
− 总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
− 流 电流 − 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
R
JA
P
D
I
D
100
1.25
12
°
c/w
W
一个
运行 接合面 和 存储 温度 T
J
,
T
STG
−55 至
150
°
C
持续的 源 电流 (身体 二极管) I
S
45 一个
单独的 脉冲波 drain−to−sourceAvalanche
活力 – (v
DD
= 25 v, v
G
= 10, i
PK
= 13 一个,
l = 1 mh, r
G
= 25
)
E
作
84 mJ
含铅的 温度 为 焊接 目的
(1/8 在 从 情况 为 10 秒)
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
1. 表面挂载 在 fr4 板 使用 1 在 sq 垫子 大小 (cu 范围 = 1.127 在 sq
[1 oz] 包含 查出).
2. 表面 挂载 在 fr4 板 使用 这 最小 推荐 垫子 大小
(cu 范围 = 0.412 在 sq).
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D
S
G
V
(br)dss
R
ds(在)
典型值 I
D
MAX*
24 v
4.5 m
@ 10 v
95 一个
5.9 m
@ 4.5 v
*I
D
最大值 在 这 产品 summary 表格 是 continuous
和 稳步的 在 25
°
c.
标记 图解
&放大; 管脚 assignments
Y = 年
WW = 工作 week
T95N02R = 设备 代号
G = pb−free 包装
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在页 4 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
1
门
3
源
2
流
4
流
DPAK
情况 369c
(表面 挂载)
样式 2
YWW
T95
N02RG
1
2
3
4
1
门
3
源
2
流
4
流
DPAK
情况 369d
(笔直地 含铅的)
样式 2
1
2
3
4
YWW
T95
N02RG
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