半导体 组件 industries, llc, 2005
8月, 2005 − rev. 0
1
发行 顺序 号码:
ncp4330/d
NCP4330
邮递 规章制度 驱动器
这 ncp4330 houses 一个 双 场效应晶体管 驱动器 将 至 是 使用 作
一个 companion 碎片 在 ac−dc 或者 dc−dc multi−output 邮递 管制
电源 供应. 正在 直接地 喂养 用 这 secondary 交流 信号, 这
设备 keeps 电源 消耗 至 这 最低 当 减少 这
surrounding 部分 计数. 此外, 这 implementation 的 一个
N−channel场效应晶体管 给 ncp4330−based 产品 一个 重大的
有利因素 在 条款 的 效率.
特性
•
欠压 lockout
•
热的 关闭 为 overtemperature 保护
•
pwm 运作 同步 至 这 转换器 频率
•
高 门 驱动 能力
•
自举 为 n−mosfet high−side 驱动
•
over−lap 管理 为 软 切换
•
高 效率 post−regulation
•
完美的 为 发生率 向上 至 400 khz
•
这个 是 一个 pb−free 设备
典型 产品
•
atx 3v3 post−regulation
•
offline smps 和 magamp post−regulation
•
multi−outputs dc−dc 转换器
缓存区
AR2
缓存区
AR3
电流
Mirror
2.5 v/1.5 v
水平的
Shifter
Band−Gap
UVD
vref, uvdth
比较器
Iramp
BST
hs_drv
ls_drv
c_ramp
i_ramp
地
RST
重置 块
U1
反相器
Iramp
Hysteresis
hs_drv 和
−
+
ls_drv 低
图示 1. 块 图解
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
欠压 发现
(uvd 高 如果 v
DD
< 4.9 v)
U3
或者
U4
1
8
订货 信息
设备 包装 Shipping
†
NCP4330DR2G SO−8
(pb−free)
2500 / 录音带 &放大; reel
1
hs_drv
8
地
2
BST
3
RST
4
c_ramp
7
ls_drv
6
V
DD
5
i_ramp
(顶 视图)
标记
图解
SO−8
d 后缀
情况 751
4330D = 设备 号码
一个 = 组装 location
L = 薄脆饼 lot
Y = 年
W = 工作 week
管脚 连接
http://onsemi.com
4330D
ALYW
1
8
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 录音带 和卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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