半导体 组件 industries, llc, 2005
十一月, 2005 −rev. 5
1
发行 顺序 号码:
mbrs540t3/d
MBRS540T3
preferred 设备
表面 挂载 肖特基
电源 整流器
这 mbrs540t3 雇用 这 肖特基 屏障 principle 在 一个 大
范围 metal−to−silicon 电源 二极管. state−of−the−art geometry
特性 外延的 构建 和 oxide passivation 和 metal
overlay 联系. ideally suited 为 低 电压, 高 频率
整流, 或者 作 自由 转动 和 极性 保护 二极管 在
表面挂载 产品 在哪里 紧凑的 大小 和 重量 是 核心的
至 这 系统.
特性
•
小 紧凑的 表面 mountable 包装 和 j−bend leads
•
rectangular 包装 为 automated 处理
•
高级地 稳固的 oxide 钝化的 接合面
•
极好的 能力 至 承受 反转 avalanche 活力 过往旅客
•
guard−ring 为 压力 保护
•
pb−free 包装 是有
机械的 特性
•
情况: 环氧的, 模塑的, 环氧的 满足 ul 94 v−0 @ 0.125 在
•
重量: 217 mg (大概)
•
完成: 所有 外部 surfaces corrosion resistant 和 终端
leads 是 readily solderable
•
含铅的 和 挂载 表面 温度 为 焊接 目的:
260
°
c 最大值 为 10 秒
•
极性: notch 在 塑料 身体 indicates cathode 含铅的
•
静电释放 比率: 机器 模型, c (> 400 v)
人 身体 模型, 3b (> 8000 v)
•
设备 满足 msl 1 (所需的)东西
最大 比率
比率 标识 值 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
40 V
平均 调整的 向前 电流
(在 评估 v
R
, t
C
= 105
°
c)
I
f(av)
5 一个
顶峰 repetitive 向前 电流
(在 评估 v
R
, 正方形的 波,
20 khz, t
C
= 80
°
c)
I
FRM
10 一个
non−repetitive 顶峰 surge 电流
(surge 应用 在 评估 加载 情况
halfwave, 单独的 阶段, 60 hz)
I
FSM
190 一个
存储 温度 范围 Tstg −65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 (便条 1) T
J
−65 至 +150
°
C
电压 比率 的 改变 (评估 v
R
) dv/dt 10,000
v/
s
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
1. 这 热温 发生 必须 是 较少比 这 热的 conductivity 从
junction−to−ambient: dp
D
/dt
J
< 1/r
JA
.
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
SMC
情况 403
塑料
MBRS540T3 SMC 2500/录音带 &放大; 卷轴
肖特基 屏障
整流器
5.0 amperes, 40 伏特
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
标记 图解
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
MBRS540T3G SMC
(pb−free)
2500/录音带 &放大; 卷轴
http://onsemi.com
B540 = 明确的 设备 代号
一个 = 组装 location
Y = 年
WW = 工作 week
= pb−free 包装
(便条: microdot 将 是 在 也 location
)
AYWW
B540
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