半导体 组件 industries, llc, 2005
九月, 2005 − rev. 6
1
发行 顺序 号码:
mbrb20200ct/d
MBRB20200CT
SWITCHMODE
电源 整流器
双 肖特基 整流器
这个 设备 使用 这 肖特基 屏障 技术 和 一个 铂
屏障 metal. 这个state−of−the−art 设备 是 设计 为 使用 在 高
频率 切换 电源 供应 和 转换器 和 向上 至 48 v
输出. 它们 块 向上 至 200 v 和 提供 改进 肖特基
效能 在 发生率 从 250 khz 至 5.0 mhz.
特性
•
200 v blocking 电压
•
低 向前 电压 漏出
•
保护环 为 压力 保护 和 高 dv/dt 能力
(10,000 v/
s)
•
双 二极管 构建 − terminals 1 和 3 必须 是 连接 为
并行的 运作 在 全部 比率
•
pb−free 包装 是 有
机械的 特性:
•
情况: 环氧的, 模塑的, 环氧的 满足 ul 94 v−0
•
重量: 1.7 grams (大概)
•
完成: 所有 外部 surfaces corrosion resistant 和 终端
leads 是 readily solderable
•
含铅的 和 挂载 表面 温度 为 焊接
目的: 260
°
c 最大值 为 10 秒
•
设备 满足 msl1 (所需的)东西
最大 比率
(每 leg)
比率 标识 值 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
200 V
平均 调整的 向前 电流
(在 评估 v
R
, t
C
= 134
°
c)
每 leg
每 设备
I
f(av)
10
20
一个
顶峰 repetitive 向前 电流
(在 评估 v
R
, 正方形的 波, 20 khz,
T
C
= +137
°
c) 每 leg
I
FRM
20 一个
nonrepetitive 顶峰 surge 电流
(surge 应用 在 评估 加载 情况
halfwave, 单独的 阶段, 60 hz)
I
FSM
150 一个
顶峰 repetitive 反转 surge 电流
(2.0
s, 1.0 khz)
I
RRM
1.0 一个
存储 温度 范围 T
stg
−65 至 +175
°
C
运行 接合面 温度 T
J
−65 至 +150
°
C
电压 比率 的 改变 (评估 v
R
) dv/dt 10,000
v/
s
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
肖特基 屏障
整流器
20 amperes, 200 v
1
3
4
http://onsemi.com
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度部分 在 页 2 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
D
2
PAK
情况 418b
塑料
3
4
1
标记 图解
B20200G
AKA
一个 = 组装 location
Y = 年
WW = 工作 week
B20200 = 设备 代号
G = pb−free 包装
AKA = 二极管 极性
ay ww
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