mrf9060nr1 mrf9060nbr1 mrf9060mr1 mrf9060mbr1
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rf 设备 数据
freescale 半导体
rf 电源 地方 效应 晶体管
N
−
频道 增强
−
模式 lateral mosfets
设计 为 broadband 商业的 和 工业的 产品 和 frequen-
cies 向上 至 1000 mhz. 这 高 增益 和 broadband 效能 的 这些
设备 制造 它们 完美的 为 大
−
信号, 一般
−
源 放大器 产品
在 26 volt 根基 station 设备.
•
典型 效能 在 945 mhz, 26 伏特
输出 电源 — 60 watts pep
电源 增益 — 18.0 db
效率 — 40% (二 tones)
imd —
−
31.5 dbc
•
整体的 静电释放 保护
•
有能力 的 处理 5:1 vswr, @ 26 vdc, 945 mhz, 60 watts cw
输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 大
−
信号 阻抗 参数
•
n 后缀 indicates 含铅的
−
自由 terminations
•
200
c 有能力 塑料 包装
•
至
−
270 双 含铅的 有 在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每
24 mm, 13 inch 卷轴.
•
至
−
272 双 含铅的 有 在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每
44 mm, 13 inch 卷轴.
表格 1. 最大 比率
比率 标识 值 单位
流
−
源 电压 V
DSS
−
0.5, +65 Vdc
门
−
源 电压 V
GS
−
0.5, + 15 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
223
1.79
W
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
−
65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
表格 2. 热的 特性
典型的 标识 值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.56
°
c/w
便条
−
提醒
−
mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
MRF9060M
rev. 8, 3/2005
freescale 半导体
技术的 数据
MRF9060NR1
MRF9060NBR1
MRF9060MR1
MRF9060MBR1
945 mhz, 60 w, 26 v
lateral n
−
频道
BROADBAND
rf 电源 mosfets
情况 1337
−
03, 样式 1
至
−
272 双 含铅的
塑料
mrf9060nbr1(mbr1)
情况 1265
−
08, 样式 1
至
−
270 双 含铅的
塑料
mrf9060nr1(mr1)
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freescale 半导体, inc., 2005. 所有 权利 保留.
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