1n5817-1n5819
1n5817-1n5819, rev.
C
2001 仙童 半导体 公司
1n5817 - 1n5819
肖特基 整流器
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
特性
•
1.0 ampere 运作 在 t
一个
= 90°c
和 非 热的 runaway.
•
为 使用 在 低 电压, 高
频率 反相器 自由
转动, 和 极性
保护 产品.
标识
参数
设备
单位
1n5817 1n5818
1N5819
V
F
向前 电压 @ 1.0 一个
@ 3.0 一个
450
750
550
875
600
900
mV
mV
I
R
反转 电流 @ 评估 v
R
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 100
°
C
0.5
10
毫安
毫安
C
T
总的 电容
V
R
= 4.0 v, f = 1.0 mhz
110 pf
做-41
颜色 带宽 denotes cathode
热的 特性
标识
参数
值
单位
1n5817 1n5818
1N5819
V
RRM
最大 repetitive 反转 电压 20 30 40 V
I
f(av)
平均 调整的 向前 电流
.375 " 含铅的 长度 @ t
一个
= 90
°
C
1.0 一个
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
8.3 ms 单独的 half-sine-波
25
一个
T
stg
存储 温度 范围 -65 至 +125
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -65 至 +125
°
C
标识
参数
值
单位
P
D
电源 消耗 1.25 W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 80
°
c/w
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