1-mbit (64k x 16) 静态的 内存
CY7C1021CV33
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose • ca 95134 • 408-943-2600
文档 #: 38-05132 rev. *e 修订 march 7, 2005
特性
• 温度 范围
— 商业的: 0°c 至 70°c
— 工业的: –40°c 至 85°c
— automotive: –40°c 至 125°c
• 管脚- 和 函数-兼容 和 cy7c1021bv33
•high 速
—t
AA
= 8 ns (商业的 &放大; 工业的)
—t
AA
= 12 ns (automotive)
• cmos 为 最佳的 速/电源
• 低 起作用的 电源: 360 mw (最大值.)
• 自动 电源-向下 当 deselected
• 独立 控制 的 upper 和 更小的 位
• 有 在 44-管脚 tsop ii, 400-mil soj, 48-ball fbga
• 也 有 在 含铅的-自由 44-管脚 tsop ii, 400-mil soj
包装
函数的 描述
[1]
这 cy7c1021cv33 是 一个 高-效能 cmos 静态的
内存 有组织的 作 65,536 words 用 16 位. 这个 设备 有
一个 自动 电源-向下 feature 那 significantly 减少
电源 消耗量 当 deselected.
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能
(ce
) 和 写 使能 (我们) 输入 低. 如果 字节 低 使能
(ble
) 是 低, 然后 数据 从 i/o 管脚 (i/o
1
通过 i/o
8
), 是
写 在 这 location 指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
15
). 如果 字节 高 使能 (bhe) 是 低, 然后 数据
从 i/o 管脚 (i/o
9
通过 i/o
16
) 是 写 在 这 location
指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
15
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片
使能 (ce
) 和 输出 使能 (oe) 低 当 forcing 这
写 使能 (我们
) 高. 如果 字节 低 使能 (ble) 是 低,
然后 数据 从 这 记忆 location 指定 用 这 地址
管脚 将 呈现 在 i/o
1
至 i/o
8
. 如果 字节 高 使能 (bhe) 是
低, 然后 数据 从 记忆 将 呈现 在 i/o
9
至 i/o
16
. 看
这 真实 表格 在 这 终止 的 这个 数据 薄板 为 一个 完全
描述 的 读 和 写 模式.
这 输入/输出 管脚 (i/o
1
通过 i/o
16
) 是 放置 在 一个
高-阻抗 状态 当 这 设备 是 deselected (ce
高), 这 输出 是 无能 (oe高), 这 bhe和 ble
是 无能 (bhe, ble高), 或者 在 一个 写 运作
(ce
低, 和 我们低).
这 cy7c1021cv33 是 有 在 标准 44-管脚 tsop
类型 ii, 400-mil-宽 soj 包装, 作 好 作 一个 48-球
fbga.
便条:
1. 为 最好的-实践 recommendations, 请 谈及 至 这 cypress 应用 便条 “system 设计 guidelines” 在 http://www.cypress.com.
逻辑 块 图解
64k x 16
内存 排列
i/o
1
–i/o
8
行 解码器
一个
7
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
0
column 解码器
一个
9
一个
10
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
512 x 2048
sense 放大器
数据 在 驱动器
OE
一个
2
一个
1
i/o
9
–i/o
16
CE
我们
BLE
BHE
一个
8
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