2-mbit (128k x 16) 静态的 内存
cy62136v mobl
®
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose
,
ca 95134 • 408-943-2600
文档 #: 38-05087 rev. *c 修订 march 29, 2005
特性
• 温度 范围
— 商业的: 0°c 至 70°c
— 工业的: –40°c 至 85°c
— automotive: –40°c 至 125°c
• 高 速: 55 ns 和 70 ns
• 70-ns 速 bin offered 在 两个都 工业的 和
automotive grades
• 宽 电压 范围: 2.7v–3.6v
• 过激-低 起作用的, 备用物品 电源
• 容易 记忆 expansion 和 ce
和 oe特性
• ttl-兼容 输入 和 输出
• 自动 电源-向下 当 deselected
• cmos 为 最佳的 速/电源
• 包装 有 在 一个 标准 44-管脚 tsop 类型 ii
(向前 引脚) 包装
• 也 有 在 含铅的-自由 包装
函数的 描述
[1]
这 cy62136v 是 一个 高-效能 cmos 静态的 内存
有组织的 作 128k words 用 16 位. 这个 设备 特性
先进的 电路 设计 至 提供 过激-低 起作用的 电流.
这个 是 完美的 为 供应 更多 电池 生命
™
(mobl
®
) 在
可携带的 产品 此类 作 cellular telephones. 这 设备
也 有 一个 自动 电源-down 特性 那 significantly
减少 电源 消耗量 用 99% 当 地址 是 不
toggling. 这 设备 能 也 是 放 在 备用物品 模式 当
deselected (ce
高). 这 输入/输出 管脚 (i/o
0
通过
i/o
15
) 是 放置 在 一个 高-阻抗 状态 当: deselected
(ce
高), 输出 是 无能 (oe高), bhe和 ble
是 无能 (bhe, ble高), 或者 在 一个写 运作 (ce
低, 和 我们低).
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能
(ce
) 和 写 使能 (我们) 输入 低. 如果 字节 低 使能
(ble
) 是 低, 然后 数据 从 i/o 管脚 (i/o
0
通过 i/o
7
), 是
写 在 这 location 指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
16
). 如果 字节 高 使能 (bhe) 是 低, 然后 数据
从 i/o 管脚 (i/o
8
通过 i/o
15
) 是 写 在 这 location
指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
16
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片
使能 (ce
) 和 输出 使能 (oe) 低 当 forcing 这
写 使能 (我们
) 高. 如果 字节 低 使能 (ble) 是 低,
然后 数据 从 这 记忆 location 指定 用 这 地址
管脚 将 呈现 在 i/o
0
至 i/o
7
. 如果 字节 高 使能 (bhe) 是
低, 然后 数据 从 记忆 将 呈现 在 i/o
8
至 i/o
15
. 看
这 真实 表格 在 这 后面的 的 这个 数据 薄板 为 一个 完全
描述 的 读 和 写 模式.
便条:
1. 为 最好的 实践 recommendations, 请 谈及 至 这 cypress 应用 便条 “system 设计 guidelines” 在 http://www.cypress.com.
逻辑 块 图解
128k x 16
内存 排列
i/o
0
– i/o
7
行 解码器
一个
8
一个
7
一个
6
一个
5
一个
2
column 解码器
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
2048 x 1024
sense 放大器
数据 在 驱动器
OE
一个
4
一个
3
i/o
8
– i/o
15
CE
我们
BLE
BHE
一个
16
一个
0
一个
1
一个
9
一个
10
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