technische 信息 / 技术的 信息
igbt-单元
igbt-modules
bsm 50 gb 60 dlc
höchstzulässige werte / 最大 评估 值
elektrische eigenschaften / 电的 properties
kollektor-发射级-sperrspannung
集电级-发射级 电压
V
CES
600 V
T
c
= 80°c I
c,nom.
50 一个
T
c
= 25°c I
C
75 一个
periodischer kollektor spitzenstrom
repetitive 顶峰 集电级 电流
t
P
= 1ms, t
c
= 80°c I
CRM
100 一个
gesamt-verlustleistung
总的 电源 消耗
T
c
= 25°c, 晶体管 P
tot
280 W
门-发射级-spitzenspannung
门-发射级 顶峰 电压
V
GES
+/- 20v V
Dauergleichstrom
直流 向前 电流
I
F
50 一个
periodischer spitzenstrom
repetitive 顶峰 forw. 电流
t
P
= 1ms I
FRM
100 一个
grenzlastintegral der 二极管
I
2
t - 值, 二极管
V
R
= 0v, t
p
= 10ms, t
vj
= 125°c
I
2
t
450
一个
2
s
isolations-prüfspannung
绝缘 测试 电压
rms, f= 50hz, t= 1min.
V
ISOL
2,5 kV
charakteristische werte / 典型的 值
晶体管 / 晶体管
最小值 典型值 最大值
I
C
= 50a, v
GE
= 15v, t
vj
= 25°c
- 1,95 2,45 V
I
C
= 50a, v
GE
= 15v, t
vj
= 125°c
- 2,20 - V
门-schwellenspannung
门 门槛 电压
I
C
= 1,0ma, v
CE
= v
GE
, t
vj
= 25°c V
ge(th)
4,5 5,5 6,5 V
Eingangskapazität
输入 电容
f= 1mhz, t
vj
= 25°c, v
CE
= 25v, v
GE
= 0v C
ies
- 2,2 - nF
Rückwirkungskapazität
反转 转移 电容
f= 1mhz, t
vj
= 25°c, v
CE
= 25v, v
GE
= 0v C
res
- 0,2 - nF
V
CE
= 600v, v
GE
= 0v, t
vj
= 25°c
- 1 500 µA
V
CE
= 600v, v
GE
= 0v, t
vj
= 125°c
-1-毫安
门-发射级 reststrom
门-发射级 泄漏 电流
V
CE
= 0v, v
GE
= 20v, t
vj
= 25°c I
GES
- - 400 nA
准备好 用: andreas vetter 日期 的 发行: 2000-04-26
批准 用: michael hornkamp 修订: 1
V
ce sat
I
CES
kollektor-发射级 sättigungsspannung
集电级-发射级 饱和 电压
kollektor-发射级 reststrom
集电级-发射级 截-止 电流
kollektor-dauergleichstrom
直流-集电级 电流
1 (8)
bsm 50 gb 60 dlc
2000-02-08
下载 从 www.icminer.com 电子的-库 维护
: 点此下载
