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资料编号:1132192
 
资料名称:AQZ205
 
文件大小: 82K
   
说明
 
介绍:
HALBLEITER RELAIS MINIATUR PHOTMOS 100V
 
 


: 点此下载
 
1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
621
电源 photomos 接转
(电压 敏感的 类型)
21
±
0.2
.827
±
.008
3.5
±
0.2
.138
±
.008
12.5
±
0.2
.492
±
.008
mminch
特性
1. 一个 电压 敏感的 电源 photo-
mos 接转
常规的 电源 photomos 接转
是 连接 externally 至 一个 输入 限制-
ing 电阻 在 顺序 至 获得 这 appropri-
ate led 电流. adding 一个 内部的
常量-电流 元素 renders 这 在-
放 限制的 电阻 unnecessary, 制造
它 可能 为 这 photomos 接转 至 是
电压 驱动.
2. 宽 范围 的 输入 电压
准许 一个 宽 范围 的 输入 电压 从
4 至 30 v 直流. 这 接转 能 是 使用 在 5
v, 12 v 或者 24 v 直流 系统.
3. 大 capacity photomos 接转
支持 这 各种各样的 类型 的 加载 con-
trol, 从 非常 小 负载 至 一个 最大
2.7 一个 为 这 交流/直流 双 类型, 3.6 一个 为
这 直流-仅有的 类型.
4. 两个都 交流/直流 双 类型 和 直流-仅有的
类型 是 有
这 交流/直流 双 类型 是 有能力 的 bi-di-
rectional 控制, 和 不像 常规的
ssrs, 做 不 有 至 是 使用 不同的-
ly 取决于 在 这 加载. 这 直流-仅有的
类型 是 好 suited 为 控制 的 直流 sole-
noids 和 直流 发动机.
5. 高 敏锐的, 低 在 阻抗
一个 最大 3.6 一个 加载 能 是 控制
和 这 最小 输入 电压 的 4 v 直流.
这 在 阻抗 是 也 低 在 0.09
(aqz102d).
6. 小 规模, slim 类型, 4-管脚 sil
长度 21.0 mm
×
宽度 3.5 mm
×
height
12.5 mm. 高 精确 挂载 是 pos-
sible 因为 的 这 小 73.5mm
2
范围
的 这 4-管脚 sil.
类型
1. 交流/直流 类型
2. 直流 类型
注释: 加载 电压 和 电流 的 交流/直流 类型: 顶峰 交流/直流.
加载 电压 和 电流 的 直流 类型: 直流.
输出 比率
部分 非.
包装 quantity
加载 电压 加载 电流 inner carton outer carton
60 v 2.7 一个 AQZ202D
25 pcs. 500 pcs.
100 v 1.8 一个 AQZ205D
200 v 0.9 一个 AQZ207D
400 v 0.45 一个 AQZ204D
输出 比率
部分 非.
包装 quantity
加载 电压 加载 电流 inner carton outer carton
60 v 3.6 一个 AQZ102D
25 pcs. 500 pcs.
100 v 2.3 一个 AQZ105D
200 v 1.1 一个 AQZ107D
400 v 0.6 一个 AQZ104D
比率
1. 交流/直流 类型
1) 绝对 最大 比率 (包围的 温度: 25
°
C77
°
F)
Item 标识 AQZ202D AQZ205D AQZ207D AQZ204D Remarks
输入
输入 电压 V
30 v
输入 反转 电压 V
RIN
3 v
电源 消耗 P
300 mw
输出
加载 电压 (顶峰 交流) V
L
60 v 100 v 200 v 400 v
持续的 加载 电流 (顶峰 交流) I
L
2.7 一个 1.8 一个 0.9 一个 0.45 一个
顶峰 加载 电流 I
顶峰
9.0 一个 6.0 一个 3.0 一个 1.5 一个 100 ms (1 shot), v
L
= 直流
电源 消耗 P
输出
总的 电源 消耗 P
T
i/o 分开 电压 V
iso
2,500 v 交流
温度
限制
运行 T
opr
–40
°
c 至 +85
°
C–40
°
f 至 +185
°
F(4 v
q
V
q
6 v)
–40
°
c 至 +75
°
C–40
°
f 至 +167
°
F(6 v < v
q
15 v)
–40
°
c 至 +60
°
C–40
°
f 至 +140
°
F(15 v < v
q
30 v)
非-condensing 在 低
温度
存储 T
stg
–40
°
c 至 +100
°
C–40
°
f 至 +212
°
F
PhotoMOS
接转
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