mil-prf-19500/225f
25 六月 1999
SUPERSEDING
mil-s-19500/225e
15 april 1994
效能 规格 薄板
半导体 设备, 晶体管, npn, 硅,
类型 2n1711, 2n1711s, 2n1890, 2n1890s,
jan 和 jantx
这个 规格 是 批准 为 使用 用 所有 depart-
ments 和 agencies 的 这 department 的 defense.
1. scope
1.1Scope. 这个 规格 覆盖 这 效能 (所需的)东西 为 npn, 硅, 低-电源 晶体管. 二 水平 的 产品
assurance 是 提供 为 各自 设备 类型 作 指定 在 mil-prf-19500.
1.2物理的 维度. 看 3.3 (类似的 至 至-5).
1.3最大 比率.
类型
1/
P
T
2/
T
C
= +25
°
C
P
T
3/
T
一个
= +25
°
C
V
CBO
V
EBO
I
C
V
CER
R
是
= 10
Ω
T
J
和 t
STG
2N1711
2N1890
W
3.0
3.0
W
0.8
0.8
v 直流
75
100
v 直流
7
7
毫安 直流
500
500
v 直流
50
80
°
C
-65 至 +200
-65 至 +200
1/ 也 应用 至 这 相应的 "s" 后缀 设备.
2/ 减额 成直线地 在 17.2 mw/
°
c 为 t
C
> +25
°
c.
3/ 减额 成直线地 在 4.57 mw/
°
c 为 t
一个
> +25
°
c.
1.4primary 电的 特性.
h
FE1
1/ h
FE2
1/ |h
fe
| V
ce(sat)
2N17112/ 2N18902/
限制
V
CE
= 10 v 直流
I
C
= 10
µ
一个 直流
V
CE
= 10 v 直流
I
C
= 150 毫安 直流
f = 20 mhz
V
CE
= 10 v 直流
I
C
= 50 毫安 直流
I
C
= 150 毫安 直流
I
B
= 50 毫安 直流
I
C
= 50 毫安 直流
I
B
= 5.0 毫安 直流
最小值
最大值
20 100
300
3.5
12
v 直流
0.2
1.5
v 直流
0.2
1.2
1/ 搏动 (看 4.5.1).
2/ 也 应用 至 这 相应的 "s" 后缀 设备.
amsc n/一个 fsc 5961
分发 陈述 一个.批准 为 public 释放; 分发 是 unlimited.
这 必备资料 和 处理
转换 measures 需要 至
遵守 和 这个 修订 将要 是
完成 用 25 九月 1999.
inch-pound
beneficial comments (recommendations, additions, deletions) 和 任何 pertinent 数据 这个 将 是 的 使用 在 improving 这个 文档
应当 是 addressed 至: commander, defense 供应 中心 columbus, attn: dscc-vat, 3990 east broad st., columbus, oh
43216-5000, 用 使用 这 addressed standardization 文档 改进 proposal (dd 表格 1426) appearing 在 这 终止 的 这个
文档 或者 用 letter.