STY34NB50F
n - 频道 500v - 0.11
Ω
- 34 一个 - max247
PowerMESH
场效应晶体管
■
典型 r
ds(在)
= 0.11
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
±
30v 门 至 源 电压 比率
■
100% avalanche 测试
■
低 intrinsic 电容
■
门 承担 使减少到最低限度
■
减少 电压 展开
描述
使用 这 最新的 高 电压 mesh overlay
处理, 意法半导体 有 设计 一个 ad-
vanced 家族 的 电源 mosfets 和 outstand-
ing performances. 这 新 专利权 pending strip
布局 结合 和 这 公司’s 专卖的
边缘 末端 结构, 给 这 最低
rds(在) 每 范围, exceptional avalanche 和
dv/dt 能力 和 unrivalled 门 承担 和
切换 特性.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
转变 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-交流 转换器 为 welding
设备 和 uninterruptable
电源 供应 和 发动机 驱动
®
内部的 图式 图解
12月 1999
绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0) 500 V
V
DGR
流- 门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
500 V
V
GS
门-源 电压
±
30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
c
= 25
o
C34A
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
c
= 100
o
c21.4a
I
DM
(
•
) 流 电流 (搏动) 136 一个
P
tot
总的 消耗 在 t
c
= 25
o
C 450 W
减额 因素 3.61 w/
o
C
dv/dt
(1)
顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 4.5 v/ns
T
stg
存储 温度 -65 至 150
o
C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围 (
1
) i
SD
≤
34 一个, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, v
DD
≤
V
(br)dss
, t
j
≤
T
JMAX
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STY34NB50F 500 v < 0.14
Ω
34 一个
1
2
3
Max247
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