硅 晶体管
2SC1623
特性
• 高 直流 电流 增益: h
FE
= 200 典型值
(v
CE
= 6.0 v, i
C
= 1.0 毫安)
• 高 电压: v
CEO
= 50 v
绝对 最大 比率
最大 电压 和 电流 (ta = 25 ˚c)
集电级 至 根基 电压 V
CBO
60 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
50 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
5.0 V
集电级 电流 (直流) I
C
100 毫安
最大 电源 消耗
总的 电源 消耗
在 25 ˚c 包围的 温度 P
T
200 mW
最大 温度
接合面 温度 T
j
150 ˚C
存储 温度 范围 T
stg
–55 至 +150 ˚C
音频的 频率 一般 目的 放大器
npn 硅 外延的 晶体管
迷你 模型
包装 维度
在 毫米
©
1984
数据 薄板
1.5
2.8 ± 0.2
0.65
+0.1
–0.15
0.4
+0.1
–0.05
2
1
3
0.4
+0.1
–0.05
0.95 0.95
2.9 ± 0.2
0.3
1.1 至 1.4
0 至 0.1
0.16
+0.1
–0.06
标记
1: 发射级
2: 根基
3: 集电级
文档 非. tc-1481c
(o.d. 非. tc-5172c)
日期 发行 july 1995 p
打印 在 日本
电的 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 截止 电流 I
CBO
0.1
µ
一个 V
CB
= 60 v, i
E
= 0
发射级 截止 电流 I
EBO
0.1
µ
一个 V
EB
= 5.0 v, i
C
= 0
直流 电流 增益 h
FE
90 200 600 V
CE
= 6.0 v, i
C
= 1.0 毫安
*
集电级 饱和 电压 V
ce(sat)
0.15 0.3 V I
C
= 100 毫安, i
B
= 10 毫安
*
根基 至 饱和 电压 V
是(sat)
0.86 1.0 V I
C
= 100 毫安, i
B
= 10 毫安
*
根基 发射级 电压 V
是
0.55 0.62 0.65 V V
CE
= 6.0 v, i
C
= 1.0 毫安
*
增益 带宽 产品 f
T
250 MHz V
CE
= 6.0 v, i
E
= –10 毫安
输出 电容 C
ob
3.0 pF V
CB
= 6.0 v, i
E
= 0, f = 1.0 mhz
*
搏动: pw
≤
350
µ
s, 职责 循环
≤
2 %
h
FE
分类
标记 L4 L5 L6 L7
h
FE
90 至 180 135 至 270 200 至 400 300 至 600
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