nexflash 科技, 公司
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nxpf001f-0600
06/22/00 ©
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NX29F010
1m-位 (128k x 8-位)
cmos, 5.0v 仅有的
过激-快 sectored flash 记忆
特性
• 过激-快 效能
– 35, 45, 55, 70, 和 90 ns 最大值 进入 时间
• 温度 范围
– 商业的 0
o
c-70
o
c
– 工业的 -40
o
c-85
o
c
• 单独的 5v-仅有的 电源 供应
– 5v ± 10% 为 读, 程序, 和 擦掉
• cmos 低 电源 消耗量
– 20 毫安 (典型) 起作用的 读 电流
– 30 毫安 (典型) 程序/擦掉 电流
• 兼容 和 电子元件工业联合会-标准 pinouts
– 32-管脚 插件, plcc, tsop
• 程序/函数 兼容 和 am29f010
– 非 系统 firmware 改变
– 使用 一样 prom programer algorithm
• 有伸缩性的 sector architecture
– 擦掉 任何 的 第八 uniform sectors 或者 全部 碎片 擦掉
– sector 保护/unprotection 使用 prom
程序编制 设备
• 100,000 程序/擦掉 循环
• embedded algorithms
– automatically programs 和 核实 数据 在
指定 地址
– 自动-programs 和 erases 这 碎片 或者 任何
designated sector
• 数据/polling 和 toggle 位
– 发现 程序 或者 擦掉 循环 completion
六月 2000
描述
这
NexFlash
nx29f010 是 一个 1 megabit (131,072 字节)
单独的 5.0v-仅有的 sectored flash 记忆. 这 nx29f010
提供 在-系统 程序编制 和 这 标准 系统
5.0v-仅有的 vcc 供应 和 能 是 编写程序 或者 erased 在
标准 prom programmers.
这 nx29f010 提供 进入 时间 的 35, 45, 55, 70, 和
90 ns 准许 高-速 控制 和 dsps' 至 运作
没有 wait states. 字节-宽 数据 呈现 在 dq0-dq7.
独立的 碎片 使能 (
CE
), 写 使能 (
我们
), 和 输出
使能 (
OE
) 控制 排除 总线 contention.
电源 消耗量 是 非常 减少 当 这 系统
places 这 设备 在 这 备用物品 模式.
这 设备 是 offered 在 32-管脚 plcc, tsop, 和 pdip
包装.
principles 的 运作
仅有的 一个 单独的 5.0v 电源 供应 是 必需的 为 两个都 读 和
写 功能. 程序 或者 擦掉 行动 做 不 需要
12.0v v
PP
. 内部 发生 和 管制 电压 是
提供 为 这 程序 和 擦掉 行动.
这 设备 是 全部地 command 设置 兼容 和 这
电子元件工业联合会 单独的 电源 供应 flash 标准. commands
是 写 至 这 command 寄存器 使用 标准 微观的-
处理器 写 timings. 寄存器 内容 提供 作 输入 至
一个 内部的 状态 机器 那 控制 这 擦掉 和
程序编制 电路系统. 写 循环 也 内部 获得
地址 和 数据 需要 为 这 程序编制 和
擦掉 行动. 读 数据 输出 的 这 设备 是 类似的
至 读 从 其它 flash 或者 非易失存储器 设备.
executing 这 程序 command sequence invokes 这
embedded 程序 algorithm, 一个 内部的 algorithm 那
automatically 时间 这 程序 脉冲波 widths 和 核实
恰当的 cell 余裕.
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