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或者 修改 预定的 至 改变在 技术的 规格.
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EN29LV160A
EN29LV160A
16 megabit (2048k x 8-位 / 1024k x 16-位) flash 记忆
激励 sector flash 记忆, cmos 3.0 volt-仅有的
特性
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3.0v, 单独的 电源 供应 运作
- 降低 系统 水平的 电源 (所需的)东西
•
高 效能
- 进入 时间 作 快 作 70 ns
•
低 电源 消耗量 (典型 值 在 5
mhz)
- 9 毫安 典型 起作用的 读 电流
- 20 毫安 典型 程序/擦掉 电流
- 较少 比 1
µ
一个 备用物品 电流
•
有伸缩性的 sector architecture:
- 一个 16-kbyte, 二 8-kbyte, 一个 32-kbyte,
和 thirty-一个 64-kbyte sectors (字节 模式)
- 一个 8-kword, 二 4-kword, 一个 16-kword
和 thirty-一个 32-kword sectors (文字 模式)
•
sector 保护 :
- 硬件 locking 的 sectors 至 阻止
程序 或者 擦掉 行动 在里面 单独的
sectors
- additionally, temporary sector 组
unprotect 准许 代号改变 在 先前
锁 sectors.
•
高 效能 程序/擦掉 速
- 字节/文字 程序 时间: 8µs 典型
- sector 擦掉 时间: 500ms 典型
- 碎片 擦掉 时间: 17.5s 典型
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电子元件工业联合会 标准 程序 和 擦掉
commands
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电子元件工业联合会 标准 data# polling 和 toggle
位 特性
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单独的 sector 和 碎片 擦掉
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sector unprotect 模式
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embedded 擦掉 和 程序 algorithms
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擦掉 suspend / 重新开始 模式:
读 和 程序 另一 sector 在
擦掉 suspend 模式
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triple-metal 翻倍-poly triple-好 cmos
flash 技术
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低 vcc 写 inhibit < 2.5v
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最小 1,000k 程序/擦掉 忍耐力
循环
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包装 选项
- 48-管脚 tsop (类型 1)
- 48 球 6mm x 8mm fbga
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商业的 和 工业的 温度
范围
一般 描述
这 en29lv160a 是 一个 16-megabit, 用电气 eras能, 读/写 非-易变的 flash 记忆,
有组织的 作 2,097,152 字节 或者 1,048,576 words. 一个y 字节 能 是 编写程序 典型地 在 8µs.
这 en29lv160a 特性 3.0v 电压 读 和 write 运作, 和 进入 时间 作 快 作
70ns 至 eliminate 这 需要 为 wait states在 高-效能 微处理器 系统.
这 en29lv160a 有 独立的 输出 使能 (oe#), 碎片 使能 (ce#), 和 写 使能
(we#) 控制, 这个 eliminate 总线 contention issues. 这个 设备 是 设计 至 准许 也
单独的sector 或者 全部 碎片 擦掉 运作, 在哪里 各自 sector 能 是 individually 保护
相反 程序/擦掉 行动 或者 temporarily unprotected 至 擦掉 或者 程序. 这 设备
能 支持 一个 最小 的 1,000k program/擦掉 循环 在 各自 sector.
rev. c, 公布 日期: 2005/01/07
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