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资料编号:116777
 
资料名称:IXTA5N50P
 
文件大小: 102.63K
   
说明
 
介绍:
PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
 
 


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1
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© 2005 ixys 所有 权利 保留
g = 门 d = 流
s = 源 tab = 流
ds99446(08/05)
标识 测试 情况 典型的
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
µ
一个 500 V
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
µ
一个 3.0 5.0 V
I
GSS
V
GS
=
±
30 v
直流
, v
DS
= 0
±
100 nA
I
DSS
V
DS
= v
DSS
5
µ
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
°
C50
µ
一个
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 i
D25
1.4
脉冲波 测试, t
300
µ
s, 职责 循环 d
2 %
PolarHV
TM
电源 场效应晶体管
进步 技术的 信息
n-频道 增强 模式
特性
z
国际的 标准 包装
z
unclamped inductive 切换 (uis)
评估
z
低 包装 电感
- 容易 至 驱动 和 至 保护
有利因素
z
容易 至 挂载
z
空间 savings
z
高 电源 密度
ixta 5n50p
ixtp 5n50p
ixty 5n50p
V
DSS
= 500 V
I
D25
= 4.8 一个
R
ds(在)
≤≤
≤≤
1.4
ΩΩ
ΩΩ
标识 测试情况 最大 比率
V
DSS
T
J
= 25
°
c 至 150
°
C 500 V
V
DGR
T
J
= 25
°
c 至 150
°
c; r
GS
= 1 m
500 V
V
GSS
持续的
±
30 V
V
GSM
瞬时
±
40 V
I
D25
T
C
= 25
°
C 4.8 一个
I
DM
T
C
= 25
°
c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
10 一个
I
AR
T
C
= 25
°
C5A
E
AR
T
C
= 25
°
C20mJ
E
T
C
= 25
°
C 250 mJ
dv/dt
I
S
I
DM
, di/dt
100 一个/
µ
s, v
DD
V
DSS
, 10 v/ns
T
J
150
°
c, r
G
= 20
P
D
T
C
= 25
°
C89W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
T
L
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s 300
°
C
最大 tab 温度 为 焊接 260
°
C
至-263 包装 为 10s
M
d
挂载 torque (至-220) 1.13/10 nm/lb.在.
重量
至-220 4 g
至-263 3 g
至-252 0.8 g
至-263 (ixta)
G
S
(tab)
至-220 (ixtp)
D
(tab)
G
S
至-252 (ixty)
G
S
(tab)
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