rev. 一个
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可依靠的. 不管怎样, 非 责任 是 assumed 用 相似物 设备 为 它的
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这个 将 结果 从 它的 使用. 非 执照 是 准予 用 牵涉 或者
否则 下面 任何 专利权 或者 专利权 权利 的 相似物 设备.
一个
ADG466/adg467
一个 技术 方法, p.o. 盒 9106, norwood, 毫安 02062-9106, 美国
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传真: 781/326-8703 © 相似物 设备, inc., 1998
triple 和 octal
频道 protectors
函数的 块 图解
ADG466
ADG467
V
D1
V
D2
V
D3
V
S1
V
S2
V
S3
V
D1
V
D2
V
D3
V
D8
V
S1
V
S2
V
S3
V
S8
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
在
V
DD
V
DD
V
在
V
输出
输出 clamped
@ v
DD
– 1.5v
V
输出
一般 描述
这 adg466 和 adg467 是 triple 和 octal 频道 pro-
tectors, 各自. 这 频道 protector 是 放置 在 序列
和 这 信号 path. 这 频道 protector 将 保护 敏感的
组件 从 电压 transience 在 这 信号 path whether
这 电源 供应 是 呈现 或者 不. 因为 这 频道
保护 工作 whether 这 供应 是 呈现 或者 不, 这
频道 protectors 是 完美的 为 使用 在 产品 在哪里
准确无误的 电源 sequencing 能’t 总是 是 有保证的 (e.g., hot-
嵌入 rack 系统) 至 保护 相似物 输入. 这个 是 dis-
cussed 更远, 和 一些 例子 电路 是 给 在 这
产品 部分 的 这个 数据 薄板.
各自 频道 protector 有 一个 独立 运作 和 con-
sists 的 一个 n-频道 场效应晶体管, 一个 p-频道 场效应晶体管 和 一个
n-频道 场效应晶体管, 连接 在 序列. 这 频道 protec-
tor behaves just 像 一个 序列 电阻 在 正常的 运作,
i.e., (v
SS
+ 2 v) < v
在
< (v
DD
– 1.5 v). 当 一个 频道’s ana-
log 输入 超过 这 电源 供应 (包含 v
DD
和 v
SS
=
0 v), 一个 的 这 mosfets 将 转变 止, clamping 这 输出
至 也 v
SS
+ 2 v 或者 v
DD
– 1.5 v. 电路系统和 信号 源
保护 是 提供 在 这 事件 的 一个 超(电)压 或者 电源
丧失. 这 频道 protectors 能 承受 overvoltage 输入
从 –40 v 至 +40 v. 看 这 电路信息 部分 的
这个 数据 薄板.
这 adg466 和 adg467 能 运作 止 两个都 双极 和
单极的 供应. 这 途径 是 正常情况下 在 当 电源 是
连接 和 打开 电路 当 电源 是 disconnected. 和
电源 供应 的
±
15 v, 这 在-阻抗 的 这 adg466 和
特性
故障 和 超(电)压 保护 向上 至
40 V
信号 paths 打开 电路 和 电源 止
信号 path 阻抗 的 r
在
和 电源 在
44 v 供应 最大 比率
低 在 阻抗
adg466/adg467 60
典型值
1 na 最大值 path 电流 泄漏 @ +25
C
低 r
在
相一致 (5
最大值)
低 电源 消耗 0.8
w 典型值
获得-向上 proof 构建
产品
ate 设备
敏感的 度量 设备
hot-嵌入 rack 系统
adg467 是 60
Ω
典型值 和 一个 泄漏 电流 的
±
1 na 最大值
当 电源 是 disconnected, 这 输入 泄漏 电流 是 ap-
proximately
±
5 na 典型值
这 adg466 是 有 在 8-含铅的 插件, soic 和
µ
SOIC
包装. 这 adg467 是 有 在 一个 18-含铅的 soic 包装
和 一个 20-含铅的 ssop 包装.
产品 最好的部分
1. 故障 保护.
这 adg466 和 adg467 能 承受 持续的 volt-
age 输入 从 –40 v 至 +40 v. 当 一个 故障 occurs 预定的 至
这 电源 供应 正在 转变 止 或者 预定的 至 一个 超(电)压
正在 应用 至 这 adg466 和 adg467, 这 输出 是
clamped. 当 电源 是 转变 止, 电流 是 限制 至 这
microampere 水平的.
2. 低 电源 消耗.
3. 低 r
在
.
adg466/adg467 60
Ω
典型值
4. trench 分开 获得-向上 proof 构建.
一个 dielectric trench separates 这 p- 和 n-频道 mosfets
因此 阻止 获得-向上.