标识
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, t
STG
标识 典型值 最大值
65 90
85 125
R
θ
JL
43 60
接合面 和 存储 温度 范围
一个
P
D
°C
1.4
1
-55 至 150
T
一个
=70°C
I
D
5.8
4.9
30
搏动 流 电流
B
电源 消耗
一个
T
一个
=25°C
持续的 流
电流
一个
最大 UnitsParameter
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
V
v±12gate-源 电压
流-源 电压 30
°c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
°c/w
W
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
°c/w
热的 特性
参数 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
≤
10s
R
θ
JA
AO3410
n-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
8月 2002
特性
V
DS
(v) = 30v
I
D
= 5.8 一个
R
ds(在)
< 28m
Ω
(v
GS
= 10v)
R
ds(在)
< 33m
Ω
(v
GS
= 4.5v)
R
ds(在)
< 52m
Ω
(v
GS
= 2.5v)
R
ds(在)
< 70m
Ω
(v
GS
= 1.8v)
一般 描述
这 ao3410 使用 先进的 trench 技术 至
提供 极好的 r
ds(在)
, 低 门 承担 和
运作 和 门 电压 作 低 作 1.8v 和 作
高 作 12v. 这个 设备 是 合适的 为 使用 作 一个 加载
转变 或者 在 pwm 产品.
G
D
S
S
G
D
至-236
(sot-23)
顶 视图
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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