标识 最大值 p-频道 单位
V
DS
V
V
GS
V
I
DM
T
J
, t
STG
°C
标识 设备 典型值 最大值 单位
n-ch 48 62.5 °c/w
n-ch 74 110 °c/w
R
θ
JL
n-ch 35 40 °c/w
p-ch 48 62.5 °c/w
p-ch 74 110 °c/w
R
θ
JL
p-ch 35 40 °c/w
热的 特性: n-频道 和 p-频道
-55 至 150-55 至 150
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
参数
最大 接合面-至-包围的
一个
t
≤
10s
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
一个
30 -30
±20
流-源 电压
±20gate-源 电压
绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
参数 最大值 n-频道
W
6.9
5.8
30
2
1.44
-4.2
-5
2
1.44
一个
持续的 流
电流
一个
T
一个
=25°C
I
D
T
一个
=70°C
搏动 流 电流
B
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
-20
T
一个
=70°cpower 消耗
T
一个
=25°C
P
D
稳步的-状态
接合面 和 存储 温度 范围
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
最大 接合面-至-包围的
一个
t
≤
10s
AO4604
complementary 增强 模式 地方 效应 晶体管
十一月 2002
特性
n-频道 p-频道
V
DS
(v) = 30v -30v
I
D
= 6.9a -5a
R
ds(在)
R
ds(在)
< 28m
Ω
(v
GS
=10v) < 52m
Ω
(v
GS
= 10v)
< 42m
Ω
(v
GS
=4.5v) < 87m
Ω
(v
GS
= 4.5v)
一般 描述
这 ao4604 使用 先进的 trench
技术 mosfets 至 提供 excellen
t
R
ds(在)
和 低 门 承担. 这
complementary mosfets 将 是 使用
在 电源 反相器, 和 其它 产品.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
soic-8
G2
D2
S2
G1
D1
S1
n-频道
p-频道
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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