阶段 控制 thyristor AT681
repetitive 电压 向上 至
6000 V
意思 在-状态 电流
840 一个
surge 电流
10 kA
最终 规格
二月 97 - 公布 : 02
标识 典型的 情况
Tj
[°C]
值 单位
BLOCKING
V RRM repetitive 顶峰 反转 电压 120 6000 V
V RSM 非-repetitive 顶峰 反转 电压 120 6100 V
V DRM repetitive 顶峰 止-状态 电压 120 6000 V
I RRM repetitive 顶峰 反转 电流 V=VRRM 120 150 毫安
I DRM repetitive 顶峰 止-状态 电流 V=VDRM 120 150 毫安
组织
I t (av) 意思 在-状态 电流 180° sin, 50 hz, th=55°c, 翻倍 一侧 cooled 840 一个
I t (av) 意思 在-状态 电流 180° sin, 50 hz, tc=85°c, 翻倍 一侧 cooled 705 一个
I TSM surge 在-状态 电流 sine 波, 10 ms 120 10 kA
i² t i² t 没有 反转 电压 500 x1E3 A²s
V T 在-状态 电压 在-状态 电流 = 1570 一个 25 2.4 V
V t(至) 门槛 电压 120 1.3 V
r T 在-状态 斜度 阻抗 120 1.150 mohm
切换
di/dt 核心的 比率 的 上升 的 在-状态 电流 从 75% vdrm 向上 至 1200 一个 120 100 一个/µs
dv/dt 核心的 比率 的 上升 的 止-状态 电压, 最小值 直线的 ramp 向上 至 75% 的 vdrm 120 500 v/µs
td 门 控制 延迟 时间, 典型 vd=200v, 门 源 20v, 10 ohm 25 5 µs
tq 电路 commutated 转变-止 时间, 典型 dv/dt = 20 v/µs 直线的 向上 至 80% vdrm 650 µs
Q rr 反转 恢复 承担 di/dt=-60 一个/µs, i= 1000 一个 120 µC
I rr 顶峰 反转 恢复 电流 vr= 50 v 一个
I H 支持 电流, 典型 25 300 毫安
I L 闭锁 电流, 典型 25 700 毫安
门
V GT 门 触发 电压 25 3.5 V
I GT 门 触发 电流 VD=5V 25 400 毫安
V GD 非-触发 门 电压, 最小值 0.5 vdrm 120 0.5 V
V FGM 顶峰 门 电压 (向前) 30 V
I FGM 顶峰 门 电流 10 一个
V RGM 顶峰 门 电压 (反转) 5 V
P GM 顶峰 门 电源 消耗 脉冲波 宽度 100 µs 150 W
P G 平均 门 电源 消耗 2 W
挂载
R th(j-h) 热的 阻抗, 直流 接合面 至 散热器, 翻倍 一侧 cooled 21 °c/kw
R th(c-h) 热的 阻抗 情况 至 散热器, 翻倍 一侧 cooled 6 °c/kw
T j 运行 接合面 温度 120 °C
F 挂载 强迫 22.0 / 24.5 kN
Mass 520 g
订货 信息 : at681 s 60
标准 规格
vdrm&放大;vrrm/100
通过 n. lorenzi 8 - i 16152 genova - 意大利
电话. int. +39/(0)10 6556549 - (0)10 6556488
传真 int. +39/(0)10 6442510
tx 270318 ansuse i -
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ansaldo trasporti s.p.一个.
unita' semiconduttori
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